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标题: Ta2O5的吸收问题 [打印本页]

作者: molang2003 时间: 2010-4-25 17:29
标题: Ta2O5的吸收问题
这段时间在做Ta2O5的工艺试验。但是做出来的效果很不理想，吸收情况特别严重，而且在单面反射测量时，在620nm以后的反射率偏大（和膜系理论设计比较）。因是初次接触这种药材，这一个礼拜摸索下来，觉得很吃力。所以，在这请教下各为大侠,对该药材因该注意那方面参数(如,冲氧量、蒸发速率......).
   我目前的工艺参数是: 冲氧后真空室压力为:  2.4E-2Pa;
                  电子枪蒸镀(没有离子源)功率为:  360Am;
                                          真空室温度为: 320℃;

作者: xieyoujie 时间: 2010-6-5 04:11
加离子源

作者: LIUYONGLIN 时间: 2010-6-5 13:59

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作者: yangdaoqi 时间: 2010-6-5 23:55
有可能是膜料本身问题

作者: 526951749 时间: 2010-6-8 09:47
没有离子源，很难镀出没有吸收的薄膜，但是应该吸收不会很高的，是不是速率太低，建议提高点速率试试。基板温度够高了，调调氧分压

作者: sunyan 时间: 2010-6-8 12:50
楼上说的挨个试试！！！！！

作者: JZNT 时间: 2010-6-14 15:14
Ta2O5没有离子源也是可以的。你的速率是多少？

作者: baron 时间: 2010-6-23 09:04
你的实际温度有多少??不开离子源问题不是很大,短波那边是会有点吸收

作者: z1206l 时间: 2010-6-29 19:04
能否把曲线发上来。
看了曲线就一目了然了。

作者: aleko 时间: 2010-7-28 16:04
试试镀完后再加问退火

作者: jingping 时间: 2010-8-3 17:35
可能材料的问题 SIO2确认一下

作者: Aaron-Lee 时间: 2010-8-5 17:43
吸收.......1. 修倍率 2. 氧壓 3. 電子槍速率

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