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标题: 欧司朗UX:3技术制造更亮LED [打印本页]

作者: update 时间: 2010-7-1 10:37
标题: 欧司朗UX:3技术制造更亮LED

欧司朗光电半导体推出全新的Oslux，但是亮度增加了50 lx，使得其输出亮度达到惊人的150 lx。加上闪光灯内的光线可分布均匀，常出现在中央的黑点已完全消失。(来源：Osram)

欧司朗光电半导体(Osram)推出全新的Oslux，不仅亮度和小巧体积更胜从前，而且能提供极为均匀的光线。这LED采用最先进的UX:3技术，再搭配优化的透镜，可确保比之前的型号亮度提高50%，而且光线分布更均匀，能照明更广大的区域。

全新Oslux的面积为3.9 mm2，高度仅2.5 mm (之前是3 mm)，但是亮度增加了50 lx，使得其输出亮度达到惊人的150 lx。加上闪光灯内的光线可分布均匀，常出现在中央的黑点已完全消失。欧司朗光电半导体德国总部的消费市场营销经理Gunnar Klick指出：“对于快速发展、注重设计的智能电话和移动电话，我们的Oslux是最理想的选择。现在连超薄的电话也能搭配强大的LED闪光灯，拍摄出质量极佳的照片。”

如此惊人的亮度出自于全新的UX:3芯片技术，使LED能够处理高电流，因此能由芯片产生更多光线。此外，相较于之前的芯片技术，分布在表面的光线亦更加均匀。全新的Oslux在高电流下的效率比从前的LED提升许多，而且对小面积区域也能提供惊人的照明效率。

在UX:3芯片技术中，通过改进该公司GaN类LED技术“ThinGaN”的n型接触电极的配置，获得了较高的外部量子效率。具体为，将设在采用ThinGaN技术的以往GaN类LED芯片表面的n型接触电极从表面移除，而植入到了LED芯片内部。这样，当从LED芯片内部产生的光射向芯片外时就没有了遮挡物，从而提高了光的取出效率。n型接触电极（图右侧中的Current Spreading Pillars）通过p型GaN类半导体层（图中的P-layer）的过的贯通孔与n型GaN类半导体层（图中的N-layer）电气连接。为了避免n型接触电极与p型接触电极（图中的Metallic Mirror、以及起到光反射层作用的Ag基底层）发生短路，在两电极间设有绝缘层。

并且，该公司称，由于UX:3技术可降低作为LED发光部分的活性层所采用的多重量子井中的电流密度，因此，LED驱动电流每次增加时LED的量子效率都会下降的问题得以减轻。因此，即使增加投入电流量，仍可获得较高的量子效率。据欧司朗介绍，驱动电流越增加、量子效率越下降的原因是俄歇复合（Auger recombination）。俄歇复合是一种不伴随发光的非放射再结合，电流密度越高，则俄歇复合越会增加。该公司的观点是，由于UX:3技术可将电流密度降低到最小限度，因此可减少俄歇复合，减少量子效率的下降。

这款LED有两种版本，各使用不同的镜片。镜片已内置在LED内，配合顶部发光的UX:3芯片光束特性，让Oslux能以均匀的矩形光线照亮拍摄对象。此外，所使用的镜片影响了光线的分布，使用Oslux后，影像角落的亮度也能达到中央亮度的40%或20%。在一公尺的距离内，这款LED闪光灯能均匀照明90公分对角线，因此足以在灯光昏暗的条件下拍摄出极锐利的照片。

作者: 动人心弦 时间: 2010-7-1 12:28

作者: wu4laohu 时间: 2011-5-15 11:19
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