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标题: 可选功率KrF光源为晶圆光刻提供更高吞吐率 [打印本页]

作者: soft 时间: 2010-9-6 08:33
标题: 可选功率KrF光源为晶圆光刻提供更高吞吐率
准分子激光光源作为光刻系统的关键部件之一，对于IC线宽、光刻工艺中晶圆的吞吐率有着极为重要的影响。作为光刻光源的重要供应商，Cymer不久前推出了世界上首款30W-50W可选KrF准分子光源。

Cymer公司光刻应用部经理Nigel Farrar表示，随着晶圆工艺转向更高节点，KrF光刻不得不处理更多的层，并且需要更高的吞吐率。降低运营成本的持续性需求，尤其是在存储器制造领域，要求在光刻单元进行技术创新以提供给客户更灵活的解决方案。鉴于此，Cymer推出了全球首款30W-50W可选KrF准分子光源。

ELS 7010x光源是Cymer高可靠性的ELS 7000系列产品的延伸，除了实时可变功率的灵活性使得芯片制造商能将晶圆吞吐率提高25%外，还进一步提供了Cymer的气体寿命延长（GLX）技术。GLX缩短气体交换过程中的系统停机时间，从而延长工作时间、提高晶圆吞吐率。对于Cymer OnPulse产品的现有客户来说，ELS 7010x增强了当前KrF工具的生产力。OnPulse保证了每脉冲光源寿命的年比成本节约，客户也可以升级现有的7000系列光源，享受新的ELS 7010x带来的好处。灵活的功率允许客户优化其生产条件，以满足吞吐率和性能目标。更进一步地，与当前型号相比，25%的可获取功率上的提升使得晶圆产出量获得了相应的增加。

Nigel Farrar指出，DUV市场仍然表现出增长趋势，尤其是目前双重图形技术正在存储器和逻辑器件的先进节点发挥重要作用。目前还无法判定KrF光刻技术的终点。甚至是i线光刻技术，几年前就有人曾断言其即将终结，而到现在它却仍被半导体制造商所采用。因此，即使是未来在EUV技术被采用并进行大规模制造时，预计KrF光刻仍将继续拥有其需求空间和生命力，它们会用来支持非关键层的一些工艺。

Cymer也在继续投资DUV技术，提供先进的解决方案，以提高芯片成品率并降低芯片制造商的运营成本。光源光学性能的改进，如带宽和波长稳定性，能够促进关键尺寸（CD）一致性和成品率的增强，这些方面的改善正在开发中，这些技术可以跟踪光源的运行，更好地预测并安排维护周期，以提高整体光刻单元的有效性。

Nigel Farrar说，目前，通过OnPulse程序，客户端所安装的ELS 7010系列光源能够升级为7010x光源。通过对电源使用的优化，晶圆的吞吐量可得到极大的提升，或者在必要时调整背部电源，最小化运行成本。除此之外，ELS 7010x还包括气体寿命延长（GLX）技术，该技术最初用于ArF光源中，以提高系统的稳定性。

总的来说，业界的舆论大多数仍倾向于EUV正成为切实可行的下一代高量产光刻技术。Nigel Farrar认为，EUV表现出了可扩展性，可大规模生产，相对于可竞争的技术，它更具有成本效益。Cymer在这方面进行了极大的投资，开发出具有生产价值的光源，较早采用该光源的厂商将在2010年底开始使用这套设备。然而，目前仍然面临着许多的挑战，需要突破性的技术开发，或者说业界所指的“致命缺陷”。降低成本、提高分辨率的潜力如此诱人，业界将有能力实现它。

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