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标题: DOE授予4英寸GaN研究项目1340万美元 [打印本页]

作者: 娆娆 时间: 2010-9-13 09:20
标题: DOE授予4英寸GaN研究项目1340万美元
美国能源秘书长Steven Chu宣布了43项旨在快速提高有关能源产出及能源支出的尖端研究项目，通过DOE的ARPA-E从美国恢复和再投资法案处获得9200万美元的资金，以加快绿色技术的创新、提高美国在电力电子、电网能源存储及建筑能源效率三方面的竞争力。ARPA-E项目在全美18个州实施，可带来就业机会。

一些项目集中在GaN技术领域，美国DOE正为4英寸氮化镓研究项目提供1340万美元资助，以加快它在功率电子领域的发展。相关主题包括：从开关到汽车：针对双向电池-电网充电器应用的GaN开关技术，针对集成电力电子的先进技术，针对灵活电力电子的高性能GaN HEMT模块，单芯片电源（PSOC）。

这些项目有望产生一种能代替现有功率管理器件的新型技术，比方说稳压器，它能给下一代微型处理器、图形卡和存储设备供电。一个3D集成的PSOC将采用一个集成了下一代硅上GaN器件和新型高频软磁材料的芯片。通过大大缩小磁性器件的尺寸，弃用大型电容，这个高密度的PSOC有望节省母板上90%的空间（光稳压器就占了25%）。（LEDC MH译自Compound Semiconductor）

美国能源部宣布将资助LED照明制造业

美国能源部宣布给固态照明（SSL）制造业资助的机会，这包括第二轮给予资助的R&D项目。美国能源部在搜集好的项目如：在设备制造、工艺、和监控技术方面技术尖端，能大大降低成本。这些项目必须解决技术难题，使得价格降低到能与普通照明在一次性投资上同样具有竞争力。通过实施这些措施，美国能源部认为他们可以加速美国领导高效能光源市场的进程。在新的准入标准下，外国公司可以申请作为项目组的一部分来申请。各种个样的国内机构-包括联邦研究中心和国家实验室有资格申请。

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