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标题: 非晶硅TFT（amorphous silicon TFT） [打印本页]

作者: duller 时间: 2010-12-8 09:53
标题: 非晶硅TFT（amorphous silicon TFT）
　目前，大多数正在量产的液晶面板使用的驱动元件均为非晶硅TFT。非晶硅TFT的开关特性优异，利用非晶硅TFT驱动的液晶面板用途广泛，小至手机和数码相机等小型显示屏，大至超过30英寸的大尺寸液晶电视。

　　非晶硅是指结晶构造为非晶质，即硅原子不具有金刚石构造、处于无序排列的状态。利用非晶硅构成TFT通道区域的就是非晶硅TFT。一般情况下，非晶硅TFT的载流子迁移率约为0.5cm2/Vs，阈值电压(Vth)约为2V。开关性能方面，导通电流为数μA，截止电流为10-2A以下。

　　TFT自身与半导体MOS FET一样，由栅极、源极和漏极3个端子构成。当栅极电压为约20V的导通状态时，电流由漏极流向源极。处于截止状态（OV或负电位）时不流经电流。根据栅极的构成顺序，又可分为顶栅(Top Gate)型（或正向交叉型、共面型）和底栅（Bottom Gate）型（反向交叉型）等，但工作原理和基本性能没有太大差别。

　　非晶硅的制造采用等离子CVD（Chemical Vapor Deposition）技术。可在350℃以下的较低温度下，在大尺寸玻璃基板上形成均匀性出色的薄膜。

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