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标题: 30nm MLC多层闪存企业级固态硬盘试制 [打印本页]

作者: dameinv 时间: 2010-12-22 08:54
标题: 30nm MLC多层闪存企业级固态硬盘试制
三星电子今天宣布，已经开发出并开始试产基于MLC NAND多层闪存芯片的固态硬盘，专门面向企业级存储系统。三星这次使用了30nm级别制造工艺的MLC NAND闪存芯片，总容量有100GB、200GB、400GB三种规格，结合Toggle DDR存储界面、SATA 3Gbps传输界面，性能上可以接近甚至超越目前市场上使用SLC NAND单层闪存芯片的固态硬盘。

三星表示，这种新的MLC固态硬盘的随机读取指令处理速度高达43000 IOPS，写入方面也有11000 IOPS，相比于区区350 IOPS的15000转企业级机械硬盘读写速度分别高出120倍、30倍之多，同时性能功耗比也有后者的150倍，换句话说消耗同等能量的情况下可以多处理150倍的数据。

除此之外，三星还使用了端到端数据保护功能和高级数据加密算法，确保硬盘的可靠性和安全性，以满足企业级用户的特殊需要。

三星计划下个月起批量投产这种新型MLC NAND固态硬盘并向客户供货。

Gartner的调研数据显示，2009年全球服务器和企业级固态硬盘出货量仅为32.4万块，2014年有望猛增至630万块，同时收入从4.85亿美元增至36亿美元。

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