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标题: 横向量子阱挑战荧光粉 [打印本页]

作者: 遗忘的回忆 时间: 2011-1-17 08:52
标题: 横向量子阱挑战荧光粉
韩国某研究小组放弃今日白光LED的一贯做法，在不使用荧光粉的条件下制备了一个色发光的GaN芯片，内含交替的量子阱条，整齐地并排着。不同的量子阱分别发出431nm和511nm的光。

小组负责人Seong-ju Park强调，色温因不同的外延结构而变化。他表示，“从蓝/绿光到蓝/黄光，通过改变两个多量子阱（MQW）的发光波长来控制色彩”。来自韩国 Gwangju科技大学的科研小组先在一个蓝宝石衬底上，使用MOCVD方法生长2µm厚的n型GaN层，接着在上面沉积五对InGaN/GaN层从而制成一个蓝光MQW。

在沉积100nm厚的SiO2覆盖层上，通过光刻和湿刻蚀工艺形成线状图案。该小组使用感应耦合等离子体腐蚀法刻蚀蓝色MQW 条片，直至n型GaN层。在两个条片中间又沉积另外五对InGaN/GaN层，此时制备出的是绿光MQW。

去除剩余的SiO2得到一个平整的表面——这预示多量子阱的厚度一致，Park再往上沉积了一层厚的p型GaN层。

对器件进行EL辐射显示蓝光与绿光的比例有了很小的变化。Park表示，这与几个堆叠式MQW白光LED（无荧光粉）的少数例子形成对照。

作者: tarco 时间: 2011-1-17 11:04
請問有參考的論文嗎?
您的敘述, 小弟還是無法很明確的了解整體架構....
謝謝囉

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