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标题: 铌酸锂（LiNbO3）晶片 [打印本页]

作者: lczhy00001 时间: 2004-1-19 21:50
标题: 铌酸锂（LiNbO3）晶片
一、铌酸锂（LiNbO3）晶片知识

  如果缺乏常规知识，我们在使用铌酸锂单晶片中会遇到许多问题，造成晶片沾污、擦伤、破损。这些问题可能发生在制作声表面波器件，集成光学器件及无源器件等产品中。
  如同器件生产工艺中处理大部分基片材料一样，操作者应当用镊子或真空笔拾取铌酸锂晶片。晶片用单片塑料盒或25片装晶片盒封装，密封的晶片只能在净化房内或程流罩下方可打开。除了上述这些要求外，还应该让每个操作人员了解铌酸锂的特殊性能，以便在使用中引起注意。
  首先，铌酸锂晶片是易碎品，我们通过边缘倒角，将边缘缺口及裂纹减到最小程度并使其圆滑，同样可对其它形状晶片的边缘斜面进行倒角。尽管如此，必须避免任何动作过大的传递或碰撞。真空笔或镊子最好由相对较软的非金属材料制成。它也适用于晶片工艺设备中存放及搬运晶片的传递用具。
  其次，铌酸锂晶片是热释电和压电材料，当其受热、受冷或受机械形变（压力）时会产生电荷。由于加工过程中无法避免热循环（温度变化），必须引起重视的是，这些因素会对产品产生不利的影响。最重要的是，晶片表面产生的静电就如同“吸尘磁铁”一样吸附灰尘，因此特别值得提醒的是在热处理工艺中及工艺结束后，一定要保持环境中无尘埃颗粒，以免沾污。这种电荷也会在晶片上引起机械应力，增大晶片碎裂的可能性。因此应避免热量的冲击，使其受热受冷有一个渐进的过程（我们推荐的升降温速率为1度/分）。在常规的操作过程中，铌酸锂晶片的压电效应不会导致问题产生，只要晶片在传递盒或夹具中不长期处于受挤压状态。

二、铌酸锂（LiNbO3）晶片清洗

作者: lczhy00001 时间: 2004-1-19 21:50
标题: 铌酸锂（LiNbO3）晶片
三、表面质量

  美国军用表面质量标准《MIL-0-13830A》，详细说明了光学元件的表面质量标准。CTI公司以此标准规定了各种产品的等级，相当于“划痕-凹坑”。在标准的检验用照明设备下，我们可以用按我们的划痕、凹坑标准生产的产品和依照美国军用标准《C7641866 修订本》加工的产品作比较。
在划痕-凹坑规范中，可用两个数字来明确表示晶片的质量水准：第一个数字指划痕宽度的最大允许值，第二个数字指凹坑直径的最大允许值，具体指标列于表1中：
表1：
划痕最大宽度值（微米）凹坑最大直径值（微米）
10204060124651020405102040
  对单个的划痕或凹坑，如果数值超过标准要求，则很容易解释。例如20-10指标，指任何划痕宽度超过2微米及凹坑直径超过10微米的晶片均为不合格品或需返工品。
但是，一个晶片可能存在一个或多个缺陷，当其和等于或大于宽度与直径最大允许值时。其标准规定划痕或凹坑的累计数应与晶片面积成一定的比例。
  当出现最大划痕（即划痕宽度最大允许值）时，累计长度不应超过晶面的四分之一（同样累计直径指所检查的表面积折算的直径）。其次，当最大的划痕与一些小划痕共存时，那么这些划痕总数与划痕长度占计算直径的比例的乘积不能超过标准中划痕最大值的一半。最后，比最大划痕小的那些划痕总数与他们长度占计算直径的比例的乘积不能超过最大划痕的数量。
  关于最大凹坑的数量（即凹坑直径的最大允许值），在检查范围内每20mm不能超过一个。同时，在每20mm范围内，所有凹坑直径之和不能二倍于最大凹坑直径。
  划痕-凹坑检查是同时在透射及反射光下，采用与标准样板比较尺寸进行。光源，俗称“黑箱”，可按《MIL-O-13830A》标准在市场中购得。划痕与凹坑标准样块可在市场上购得，他们分镀膜与非镀膜两种。

作者: lczhy00001 时间: 2004-1-30 23:28
标题: 铌酸锂（LiNbO3）晶片
多留言吗？？

作者: rochon 时间: 2004-2-7 23:14
标题: 铌酸锂（LiNbO3）晶片
不错！

作者: xj2010cg 时间: 2012-4-28 22:01

作者: xiaoyi1987 时间: 2012-5-4 20:58
我想说什么了，忘了。、、

作者: jerrygmj 时间: 2012-5-21 15:46
linbo3

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