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标题: 天津高新区企业中环半导体发布节能新产品 [打印本页]

作者: emorson 时间: 2011-3-26 08:18
标题: 天津高新区企业中环半导体发布节能新产品
2月21日，高新区企业中环半导体公司召开新产品发布会，发布了IGBT绝缘栅双极型晶体管、IGBT器件、高压大电流MOSFET场效应晶体管、TVS瞬态电压抑制器等4类面向节能型半导体领域新产品。其中，IGBT用区熔硅单晶抛光片属国内首创，不仅填补了国内半导体器件产品的空白，而且成功打入国际市场。这4类新产品全部由中环半导体公司自主研发，已经取得2项发明专利，并有2项专利正在申请过程中。
天津中环半导体股份有限公司是生产半导体分立器件的专业生产商，前身是天津市电子仪表局下属老国有企业，主要生产大功率硅整流二极管。经过上世纪80年代引进海外先进技术和90年代国有企业股份制改造的洗礼，中环半导体公司走出了一条通过引进、消化、吸收、掌握核心技术并实现自主创新的发展之路。目前，该公司通过产业结构的不断调整和优化升级，已形成以节能型产品和新能源产品为导向的产业格局，自主研发产品的产值率已达95%以上。
这次发布的4类新产品主要面向节能型半导体领域，生产技术均达到国内领先地位，该公司发布的1200V　Trench　　IGBT是国内首类1200V沟槽型非穿通IGBT产品，具有电流密度大、芯片尺寸小、饱和压降低、良好拖尾电流等优越特性，单片出芯数比国内同类产品提高60%以上。同时发布的MOSFET系列产品是半导体器件实现节能减排和低碳排放的核心元器件，该公司自主研发的Planar高压大电流 VDMOS电压达到 800V至900V，比常规同类产品尺寸缩小20%以上，电流达到20A，填补了国内空白，同时实现了封装小型化。新发布的4类新产品均在家电、IT、汽车及重工业领域得到广泛应用，为涉及领域的国产产品提升性能提高可靠性，提供了解决方案。
清华大学、浙江大学、西安工程大学、电子科技大学和中国半导体行业协会、中国电器工业协会、中国电工技术学会、中国科学院半导体研究所、天津市集成电路行业协会、北京电力电子学会等单位的相关专家学者应邀出席了发布会。（记者苏志丹）

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