光电工程师社区

标题: 二氧化硅的蚀刻 [打印本页]

作者: hahaha    时间: 2003-11-28 18:20
标题: 二氧化硅的蚀刻
想得到不同厚度的二氧化硅,据说用氢氟酸同二氧化硅反应不同时间就可得到,可是我不知道具体的反应条件、浓度等等,请各位指点,谢谢:)
作者: mykosovo    时间: 2003-11-28 20:18
标题: 二氧化硅的蚀刻
什么反应条件,什么浓度?
作者: hahaha    时间: 2003-11-29 01:08
标题: 二氧化硅的蚀刻
在什么条件下,氢氟酸同二氧化硅反映,氢氟酸的浓度多大反映多长时间,能得到不同厚度的二氧化硅?
作者: 李伟华    时间: 2003-11-29 04:57
标题: 二氧化硅的蚀刻
用石英水晶试试,水晶主要成份也是二氧化硅。利用压电效应,通过测试水晶基板的频率,就可以控制其厚度。精度很高。水晶放在氢氟酸中在常温下就会反应。最好用氟化氢胺,配成饱和溶液。比较安全。氢氟酸太厉害。但我不知你做什么用的?
光靠化学反应去得到不同厚度会很慢。最好还是通过研磨,抛光比较快。至少水晶材料是这样的。

作者: hahaha    时间: 2003-12-5 00:29
标题: 二氧化硅的蚀刻
我现在有一片硅片,上面镀有二氧化硅膜层,厚度约50nm,现在我想将二氧化硅蚀刻成不同的厚度,即做成厚度的阶梯。有什么好方法可以实现这一目标,同时,还能保证膜层厚度的均匀性???




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