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标题: LN\LT 消静电处理 [打印本页]

作者: lczhy00001 时间: 2003-12-29 20:57
标题: LN\LT 消静电处理
SAW器件制造过程中一般有5次以上的升降温过程，LN、LT晶片因具有较在的热释电性能，经升降温后会在晶片表面产生大量的热电电荷，导致叉指电极烧毁，晶片退极化电性能下降，器件热噪声加大，特别是高频器件更明显。国外很多厂家为了解决这个技术难题做了大量的研究工作，例如采用短路指条，半导体电荷释放层（FSL），局部极化技术（SARP），但是不是技术难度高，就是效果不明显。98年，CTI公司率先报道，还原的LN晶体，具有低的热释电性能，发明了Black LN晶片并获得专利，从根本上解决了前面所说的问题，从而掀起了LN、LT晶体还原技术的研究热潮、2002年韩国DIAMOND公司报道了该公司取得Black LT晶片技术专利，并送样EPCOS公司评价很好，有望解决EPCOS公司高频率器件的制造难题。据FPCOS公司介绍，Black LT晶片因对紫外线吸收较强，光刻时反射光弱，避免了因光的衍射而降低了光刻精度.
我公司已研制成功

作者: lczhy00001 时间: 2003-12-31 20:01
标题: LN\LT 消静电处理
低静电的铌酸锂、钽酸锂晶片有较低的热释电性能，在SAW制造过程中能避免工艺升降温后在晶片表面产生大量的热电电荷（会导致叉指电极烧毁，晶片退极化电性能下降）。
1. 低静电的铌酸锂、钽酸锂晶片保留了普通铌酸锂、钽酸锂晶片的SAW特性2．晶片从150℃，以降温速度50℃/30秒,降至室温，测量晶片表面电位差≤30mv3．晶片呈粉色或黑色。

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