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标题: 请问等离子源和离子源的区别在哪里？？？ (无内容) [打印本页]

作者: liuchuntang 时间: 2003-5-6 04:30
标题: 请问等离子源和离子源的区别在哪里？？？ (无内容)

作者: 风寒雪月缺 时间: 2003-5-6 22:49
标题: 请问等离子源和离子源的区别在哪里？？？ (无内容)
[这个贴子最后由风寒雪月缺在 2003/05/06 02:50pm 第 1 次编辑]

好象是一个东东

作者: optionbeam 时间: 2003-5-8 04:10
标题: 请问等离子源和离子源的区别在哪里？？？ (无内容)
等离子体源提供的是等离子体,离子源提供的是离子.

作者: roman 时间: 2003-5-8 18:13
标题: 请问等离子源和离子源的区别在哪里？？？ (无内容)
虽说最终工作效果是一样，但是而这还是有区别的。从技术上讲我还不太清楚，单就从保养费用而言，离子源的费用是惊人的。
如果那位仁兄在技术上是强项，还请能够作些解释。

作者: hakuto 时间: 2003-6-25 00:15
标题: 请问等离子源和离子源的区别在哪里？？？ (无内容)
主要的区别在能量，我这里有资料，请来电索取。010-65660071刘先生

作者: chugqchugq 时间: 2003-6-25 23:56
标题: 请问等离子源和离子源的区别在哪里？？？ (无内容)
应该说等离子体源（APS)的费用是惊人的，除APS外，其他都叫离子源。

作者: leeloocong 时间: 2005-4-2 00:59

离子源出来的也是等离子体啊

作者: nanovac 时间: 2005-4-3 10:01

国产APS离子源那里有卖的？

作者: flashzhang 时间: 2005-4-4 16:28

常用辅助镀膜手段都是利用高能量等离子体的原理

据我所知有三种：

离子枪，等离子枪，RF

离子枪发射离子，等离子枪直接发射等离子体

这是最主要的区别

作者: zz 时间: 2005-4-5 23:01
APS也是种离子源，不过APS的能量强过一般的常用HALL源好几十倍。

作者: syb_Q 时间: 2005-8-25 05:37
离子源和等离子源对材料的表面处理有不同：对于在绝缘基材表面的电荷积累，有区别，需要中和等增加沉积速率等

作者: nanovac 时间: 2005-8-25 18:51
离子源等离子源只是相对概念，即离子在空间的中和程度。所有霍尔离子源都有一定程度的中和（等离子化）。莱宝的APS等离子源也是利用端部霍尔效应，与其它霍尔离子源原理上并无原则差别。只不过其阴极电流极大而又采用了很长的轴向电磁场而已。当然，其发射离子中和程度很高，90%？
可以这样说，只有两种离子源
1 霍尔离子源（无栅）：轴线磁场抽取离子流
2 考夫曼离子源（栅板）：栅板抽取离子流
RF离子源（有时又叫ICP离子源）是考夫曼离子源，只不过等离子体发射采用石英腔体加RF电源。唯一有点另类的离子源是ECR离子源，半导体行业用得多。
所谓等离子源只不过是离子源中中和得较好。

作者: yzhuang 时间: 2005-9-13 23:31
莱宝的APS等离子源据介绍所发射的是等离子体,是电中性的粒子,其它离子源发射的是带负电性的粒子,APS的好处是中性粒子不会在基片上聚集影响膜层质量.但是APS维护费用惊人,据说每个电极标称只能用100小时,价格是5000多元

作者: eagle1 时间: 2005-9-19 04:27
我的一点小理解:
主要是两方面
1.产生等离子体所用的电场(直流或交流,以及交流频率)
2.能量和等离子体密度,二者成反比.

作者: tfc 时间: 2005-9-19 22:27
APS的阴极完全可国产化，可用130-150小时

作者: 王李 时间: 2005-9-20 03:43
APS的国产阴极不稳定，效果不如德国买的。且易溅点子。对光洁度高的产品得不偿失。

作者: zz 时间: 2005-9-21 15:59
看来挺多人用过国产的吗?
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