光电工程师社区

标题: 有谁了解砷化镓(GaAS)的特性，要给它镀膜要注意些什么问题？ [打印本页]

作者: jeh 时间: 2003-7-26 00:38
标题: 有谁了解砷化镓(GaAS)的特性，要给它镀膜要注意些什么问题？
有谁了解砷化镓(GaAS)的特性，要给它镀高反膜要注意些什么问题？

pYQROHhw.gif (6.48 KB, 下载次数: 32)

作者: pitcher 时间: 2003-7-26 20:54
标题: 有谁了解砷化镓(GaAS)的特性，要给它镀膜要注意些什么问题？
What do you want to know about it? I am also looking for the high reflection coating for GaAs or GaSb based laser diode. I know GaAs well, but little about the coating. The reflective index of GaAs is around 3.8. I think that’’s critical to the film design of coating.

作者: chugqchugq 时间: 2003-7-28 05:52
标题: 有谁了解砷化镓(GaAS)的特性，要给它镀膜要注意些什么问题？
中心波长是多少？

作者: jeh 时间: 2003-7-31 21:03
标题: 有谁了解砷化镓(GaAS)的特性，要给它镀膜要注意些什么问题？
中心波长1550nm，要求R98%，我试镀过，用sio2和ta2o5，第一层为ta2o5，烘烤加热230℃，还有赫尔源辅助镀膜，但膜层不牢，脱膜！！

作者: optele 时间: 2004-4-1 04:04
标题: ??
as i know the index of GaAs is about 3.5

作者: xiao2000 时间: 2004-4-1 16:40

Refractive index n versus photon energy for a high-purity GaAs.(n_o~5·10¹³ cm^-3). Solid curve is deduced from two-beam reflectance measurements at 279 K. Dark circles are obtained from refraction measurements. Light circles are calculated from Kramers-Kronig analysis

[此贴子已经被作者于2004-4-2 9:22:37编辑过]

作者: vietti 时间: 2004-4-5 16:57

对半导体激光器膜系计算，应该是从材料往空气入射吧，

即N0=3.5，Ns＝1，对吗？

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