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标题: SI的镀膜方法！ [打印本页]

作者: jeh 时间: 2003-8-14 01:38
标题: SI的镀膜方法！
那位了解SI的镀制方法？温度，真空度等条件？膜层的牢固度，环境实验性能等等！！

请谈谈！！

另外，那里有好用的 SI 膜料卖？

作者: jeh 时间: 2003-8-14 23:25
标题: SI的镀膜方法！
急需，谢谢！！

作者: moonlight 时间: 2003-8-15 18:25
标题: SI的镀膜方法！
si比ge难蒸，功率较大，-5真空量级蒸发。膜强度好。

作者: jeh 时间: 2003-8-20 18:32
标题: SI的镀膜方法！

下面引用由moonlight在 2003/08/15 10:25am 发表的内容：
si比ge难蒸，功率较大，-5真空量级蒸发。膜强度好。

你是指：电子枪蒸发，真空度-5Pa?

作者: moonlight 时间: 2003-8-20 22:04
标题: SI的镀膜方法！
没错

作者: kent90 时间: 2003-8-23 02:35
标题: SI的镀膜方法！
moonlight可否谈谈如何在－5Pa蒸镀？蒸发速率多少，真空系统抽速多大？用什么设备？

作者: moonlight 时间: 2003-8-26 00:46
标题: SI的镀膜方法！
SI蒸发时会吸氧，真空度很快就会很高，速率3-5A，只要电子枪功率大就行。

作者: Portia 时间: 2003-8-27 00:24
标题: SI的镀膜方法！
这样Si不就被氧化了吗？如何镀制纯硅膜呢？

作者: moonlight 时间: 2003-8-27 21:23
标题: SI的镀膜方法！
不充氧，真空度很低不会氧化的。

作者: moonlight 时间: 2003-8-27 21:27
标题: SI的镀膜方法！
不充氧，真空度很高不会氧化。

作者: Jesus 时间: 2003-8-28 20:26
标题: SI的镀膜方法！
2.0x10-2Pa就可以蒸了吗？恐怕真空度太低了吧？那样会生成SiO2的。
我觉得真空度在4.0x10-4Pa以上为好，Si的透明波段为1.1um以上

作者: moonlight 时间: 2003-8-30 22:34
标题: SI的镀膜方法！
-4mba而不是-4pa.膜层要很厚才不透，包括金属膜。

作者: 缘睐汝痴 时间: 2012-3-26 18:12
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