光电工程师社区

标题: MgF2工艺参数的调整 [打印本页]

作者: 镀膜迷 时间: 2003-9-10 19:34
标题: MgF2工艺参数的调整
有哪位高手可以告之MgF2在发生喷溅时，是否调节电子束的整幅或是扫描频率可以控制它的喷溅，或是调整电子枪功率或预容时间

作者: gb936 时间: 2003-9-11 05:15
标题: MgF2工艺参数的调整
减小功率并充分预熔。

作者: brian 时间: 2003-9-15 21:26
标题: MgF2工艺参数的调整
是的

作者: littlefun 时间: 2003-9-18 03:29
标题: MgF2工艺参数的调整
怎么我在镀MgF2的时候，没有完全熔化，就开始有沉积了？而且沉积速度还非常快，
大概在10－20埃之间。

作者: Jesus 时间: 2003-9-18 17:40
标题: MgF2工艺参数的调整
MgF2是完全融化蒸发的吗？我觉得和SiO2差不多，基本是升华的吧？

作者: littlefun 时间: 2003-9-18 21:03
标题: MgF2工艺参数的调整
但它是可以融的，不过等它融的时候，剩下的膜料就不多了，
好多都已经升华掉了。所以这个膜料到底该怎么个镀法啊？

作者: xiao2000 时间: 2003-10-13 05:20
标题: MgF2工艺参数的调整
就我的蒸镀经验，MgF2都是升华的，我用的是热阻蒸发。

作者: gaelicjzero 时间: 2003-11-9 06:00
标题: MgF2工艺参数的调整
错错错
怎么是升华？
它有变成液态的过程，升华是直接从固态变成气态。物理的常识。

作者: qaxx 时间: 2003-11-25 02:58
标题: MgF2工艺参数的调整
你可以调整电子枪打点波形，来解决。

作者: sauke 时间: 2003-11-25 17:39
标题: MgF2工艺参数的调整
MgF2怎么会是升华呢？SiO2才是吧。

作者: sofa88888 时间: 2003-12-1 03:21
标题: MgF2工艺参数的调整
我认为用钼舟还是最好的选择，先预溶一下更好些

作者: xvchuan 时间: 2003-12-1 04:41
标题: MgF2工艺参数的调整
使用光学级单晶mgf肯定是要融化的，如果原料不纯使用试剂级的确实见过不熔的情况

作者: ababab 时间: 2003-12-2 02:49
标题: MgF2工艺参数的调整
MgF2的纯度非常关键，我以前用巨波的很会溅，现在改用别的则没有出现过了。就我个人镀MgF2来说，MgF2是可熔的，用电子枪熔好后膜料还多着呢，怎么会没料。

作者: 315 时间: 2003-12-3 16:00
标题: MgF2工艺参数的调整
长春光机所的mgf2还行！

作者: nuoweisenlin 时间: 2003-12-6 06:52
标题: MgF2工艺参数的调整
1.可以调整药电光班.
2.调整电流大小,使溶药时的电流稍微大于蒸镀时的电流.
3.药的纯度要有保证.巨波的有时挺好的.
4.以上是指用电子枪蒸着

作者: caojianning 时间: 2003-12-6 17:37
标题: MgF2工艺参数的调整
MgF2熔药速度不能太快，否则容易上点子

作者: caojianning 时间: 2003-12-6 17:45
标题: MgF2工艺参数的调整
用电子枪熔MgF2确实比较麻烦，需要不断摸索电子枪功率和时间的关系，
国产MgF2往往供料质量不稳定，熔药不好，易出现喷料，进口料要稳定得多。

作者: chenchen 时间: 2003-12-12 17:52
标题: MgF2工艺参数的调整
mgf2必须达到光谱纯，混有mgo杂质预熔及镀膜时容易产生飞溅

作者: laowupo 时间: 2004-2-14 12:30
标题: MgF2工艺参数的调整
MgF2的纯度非常关键，我以前用巨波的很会溅，现在改用别的则没有出现过了。就我个人镀MgF2来说，MgF2是可熔的，用电子枪熔好后膜料还多着呢，怎么会没料。
不错、不错

作者: yh15430 时间: 2004-2-16 04:50
标题: MgF2工艺参数的调整
蒸镀 MgF2应当注意以下几点：1，料要纯；2，要予熔彻底，不管热阻法还是电子束法都应如此；3，坩埚要清洁；4，蒸速勿太快，可减少电子，增加成品率。

作者: 小光子 时间: 2004-2-16 21:06
标题: MgF2工艺参数的调整
两点
1，MgF2的熔、沸点是不是很接近？溶解的几乎同时就蒸发了？
2，请问caojianning，为什么MgF2熔药速度太快就容易上点子？请指教

作者: xdj 时间: 2004-2-24 04:14
标题: MgF2工艺参数的调整
我用钨舟来做

作者: yzhuang 时间: 2004-3-2 02:09
标题: MgF2工艺参数的调整
用电子枪蒸发，扫描线调宽点，应该不太会溅出，其实MgF2本身是不会溅的，而是其中有MgO杂质才如此的。

作者: yh15430 时间: 2004-3-3 05:57
标题: MgF2工艺参数的调整
Yzhuang说的非常正确，料不纯是点子产生的祸根！

作者: 阿俊 时间: 2004-3-4 05:43
标题: MgF2工艺参数的调整
MGF2在用电子枪蒸着时,是升华的,为避免溅射,在预溶时使电流逐步的加,不能变化太大,在镀膜可将电流调小一点.

作者: 从头再来 时间: 2004-3-4 20:02
标题: MgF2工艺参数的调整
所见略同，用钼舟先大电流预熔，再用较小电流镀膜

作者: zz 时间: 2004-3-10 22:34
标题: MgF2工艺参数的调整
在发现喷是的最好办法是把挡板关上。个人认为无所谓纯不纯，熔透了就没问题。

作者: yh15430 时间: 2004-3-10 23:57
标题: MgF2工艺参数的调整

下面引用由zz在 2004/03/10 02:34pm 发表的内容：
在发现喷是的最好办法是把挡板关上。个人认为无所谓纯不纯，熔透了就没问题。

发现喷时关上挡板，透镜早已成蜂窝！

作者: zz 时间: 2004-3-11 17:11
标题: MgF2工艺参数的调整
如果发现了还不关上，那就有N个蜂窝了

作者: ababab 时间: 2004-3-12 03:12
标题: MgF2工艺参数的调整
等发现喷了才关那还不全完蛋。

作者: 来去分明 时间: 2004-3-12 05:47
标题: MgF2工艺参数的调整
用电子枪熔氟化镁挺容易的，有点子一般是因为含有MGO，充分预熔是不会喷的。

作者: zz 时间: 2004-3-12 17:12
标题: MgF2工艺参数的调整
MGF2用电子枪充分预熔透了，我看也没啥料剩下好镀的了

作者: ababab 时间: 2004-3-16 02:29
标题: MgF2工艺参数的调整
用电子枪镀多的就是料了。

作者: 我是小学生 时间: 2004-3-17 05:52
标题: MgF2工艺参数的调整
我也是用钼舟,二次融药比较好，电子枪发生溅射可能是电流太大吧

作者: 我是小学生 时间: 2004-3-17 05:57
标题: MgF2工艺参数的调整
我也是用钼舟，二次　融药比较好。用电子枪可能是电流太大吧。

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