光电工程师社区
标题:
论h4充氧对膜系影响?
[打印本页]
作者:
qaxx
时间:
2003-11-24 03:29
标题:
论h4充氧对膜系影响?
[30][这个贴子最后由qaxx在 2003/11/23 07:35pm 第 1 次编辑]
充氧大一点小一点,对膜系影响不大,一般充氧在12以上至30为好。
作者:
chugqchugq
时间:
2003-11-24 16:44
标题:
论h4充氧对膜系影响?
充氧12以上至30是什么意思？
作者:
Jesus
时间:
2003-11-24 19:03
标题:
论h4充氧对膜系影响?
晕，应该是sccm吧
楼主大哥，拜托下次题目别起那么大，论h4充氧对膜系影响?
结果只一句话，虽说是涉及工艺，可能值钱。
但既然是论，怎么着也得把原因及原理，可能的影响说清楚吧。
纯属个人意见，楼主见谅
作者:
yeye
时间:
2003-11-28 03:28
标题:
论h4充氧对膜系影响?
--------------------------------------------------------------------------------
晕
作者:
315
时间:
2003-11-28 20:09
标题:
论h4充氧对膜系影响?
ssssss
作者:
chugqchugq
时间:
2003-11-28 23:50
标题:
论h4充氧对膜系影响?
不充氧行不行？
作者:
ic5
时间:
2003-11-29 00:46
标题:
论h4充氧对膜系影响?
个人认为，有离子源存在的情况，充氧的主要意义已经是对真空度的影响了，我想对材料的影响已经不大了！大家说是吗？
作者:
Jesus
时间:
2003-11-29 18:11
标题:
论h4充氧对膜系影响?
ic5 的意思是离子源所离化的离子氧已经足够氧化反应的进行了，所以充氧只是对真空室的压强进行控制，从而达到对材料折射率的控制是吧？
但对于高吸氧的材料，如Ti，离子源的氧离子足够反应的吗？
我没试过， ic5做过相关方面的试验吗？
作者:
315
时间:
2003-11-29 20:15
标题:
论h4充氧对膜系影响?
sssssss
作者:
schrly
时间:
2003-11-30 07:02
标题:
论h4充氧对膜系影响?
同意 Jesus ！
作者:
mxbplayboy
时间:
2011-5-15 18:13
学习中
作者:
huang12949
时间:
2011-5-17 10:55
充氧不足,吸收. 反射曲线OK,透过率低下.这就是影响
作者:
yong0009
时间:
2011-5-17 11:30
关注！
作者:
xiaolan125
时间:
2011-5-17 13:28
作者:
chenchen
时间:
2011-5-17 16:00
充氧的目的就是降低材料吸收以及折射率控制。
欢迎光临 光电工程师社区 (http://bbs.oecr.com/)
Powered by Discuz! X3.2
