光电工程师社区
标题:
二氧化硅的蚀刻
[打印本页]
作者:
hahaha
时间:
2003-11-28 18:25
标题:
二氧化硅的蚀刻
想得到不同厚度的二氧化硅,据说用氢氟酸同二氧化硅反应不同时间就可得到,可是我不知道具体的反应条件、浓度等等,请各位指点,谢谢:)
作者:
freel
时间:
2003-11-29 05:49
标题:
二氧化硅的蚀刻
氢氟酸:氟化铵=1:30,试试,比例还可以在变变,自己试试吧。
不过用的时候要当心,氢氟酸对人体的伤害很大,弄到身上需要专门的医生才能处理,搞不好要命的。
作者:
cdquartz
时间:
2003-11-30 07:33
标题:
二氧化硅的蚀刻
如果要得到均匀的蚀刻厚度(没有被HF-NH4F腐蚀)是较困难的,这与你选的二氧化硅材质有关,可提供相关信息,请联系13980600120
作者:
whiterabbit
时间:
2003-12-21 04:47
标题:
二氧化硅的蚀刻
不知你说的二氧化硅是不是用CVD或其他镀膜方法获得的,如是,为何不通过控制生长条件如时间,速率来得到不同厚度了? 如果是已经生长好的膜,可用湿法刻蚀或干法刻蚀。湿法比较简单,但要控制好氢氟酸的浓度,以免腐蚀速率太快,建议以1:100(HF:H2O)为参考进行调配。同时要特别注意安全,氢氟酸的酸性不强,但容易渗透皮肤腐蚀骨骼,轻者致残,重者有生命危险。记得以前上安全操作课时,老师一再强调氢氟酸。用干法腐蚀可以较好地控制厚度,但设备要求高,具体参数依所用气源及设备条件而定。
作者:
lavajydm
时间:
2003-12-30 08:42
标题:
二氧化硅的蚀刻
你用的是干法腐蚀!
欢迎光临 光电工程师社区 (http://bbs.oecr.com/)
Powered by Discuz! X3.2