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标题: 三星宣布电阻式随机存取记忆体技术突破 [打印本页]

作者: 这个夏天 时间: 2011-7-14 09:42
标题: 三星宣布电阻式随机存取记忆体技术突破

三星公司今天宣布他们已经实现了电阻式随机存取存储器（RRAM）技术的重大突破，工程师和科学家们正在把RRAM的原型变成现实，这种基于钽结构的存储器可以比现有的硅结构闪存寿命高100万倍，并且还有高密度和高速度、低功耗的多种特性。RRAM的研发工作成功将发表在本期《科学》杂志自然材料栏目里。

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