光电工程师社区

标题: 铌酸锂晶体在光电技术中的应用 [打印本页]
作者: lczhy00001    时间: 2004-1-18 21:58
标题: 铌酸锂晶体在光电技术中的应用
铌酸锂（ＬＮ）晶体具有优良的压电、电光、声光、非线性等性能。在军事、民用领域有着广泛的用途，随着光电技术的发展，ＬＮ晶体在国防技术中的应用越来越受到重视。br/ＬＮ晶体是一种重要的多功能晶体，它具有非线性光学性质，其非线性光学系数较大；而且能够实现非临界相位匹配，掺Mg：ＬＮ晶体，抗激光损伤能力大大提高，促进了ＬＮ晶体在非线性光学领域中的应用；Nd：Mg：ＬＮ晶体，可实现自倍频效应；掺Fe：ＬＮ晶体现在大量用在光学体全息存储；ＬＮ还是非常好的电光晶体，现在成为重要的光波导材料；ＬＮ晶体还是较好的压电晶体，能用于制作中低频SAW滤波器，大功率耐高温的超声换能器等。br/br/[attach]10351[/attach]br/[attach]10352[/attach]br/<br/>[attach]10353[/attach]<br/>
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[ 本帖最后由 lczhy00001 于 2008-5-12 11:42 编辑 ]
作者: lczhy00001    时间: 2004-1-18 21:59
标题: 铌酸锂晶体在光电技术中的应用
ＬＮ晶体的主要用途
1)集成光学器件
应用微电子技术和薄膜技术在光波导衬底上制作各种光调制器，光开关，光分束器，偏振器，波长滤波器等，可实现光波导集成化器件。
铌酸锂晶体是一种电光晶体（r32=32mp/v）现已成为重要的光波导材料。用ＬＮ晶体制作光波导器件已有很长历史，技术最成熟。
ＬＮ晶体的折射率梯度可控制在5*10-5以内，高速相位调制器生产工艺成熟（理论上ＬＮ可制作
300Ｇ的调制器，现已制出100Ｇ产品），其它如光开关，滤波器等一系列光波导器件均已研制成功，并进入产品生产。另外用ＬＮ晶体制作集成光学器件可用于光纤陀螺，其特点是精度高和稳定性好，成本低。
ＬＮ光波导器件的特点：
a.电光效应大
b.制作波导的方法简单易行，性能再现性良好。
c.光吸收小。
d.损耗低，对波长依赖性小。
e.基片尺寸大。（现生产出4英寸光学级LN晶体）

作者: lczhy00001    时间: 2004-1-18 21:59
标题: 铌酸锂晶体在光电技术中的应用
光隔离器
光隔离器是一种只允许单向光通过的无源光器件，其工作原理是基于法拉第旋转的非互易性。如图2







ＬＮ晶体双折射率为ne-no=0.08,隔离器中的起偏和检偏器可用ＬＮ光楔来制作，这种隔离器的特点是，光隔离度适中（38-50dB），批量性好，材料制作工艺成熟，成本低，易实现工业化生产。

作者: lczhy00001    时间: 2004-1-18 22:00
标题: 铌酸锂晶体在光电技术中的应用
）全息存储器件（海量存储器）
利用ＬＮ晶体的光折变性能可制作光学体全息存储器件。具体实现方法是采用两束光（一束为参考光，另一束作为全息光）在记录媒质中，形成光栅结构的衍射，全息图便被记录在晶体内，理论上存储容量高达1012一 10 13 bits/cm&sup3;。
体全息存储近10年发展状况：
1991年，美国Northrop公司在１立方厘米掺铁ＬＮ晶体存储和高保真地再现了５００幅高分辨率的军用车辆全息图。
1994年，美国加州理工学院在掺铁ＬＮ上实现了10000幅全息图／cm3的存储。
1999年日本人研制出性能更好的化学剂量比ＳＬＮ晶体和掺杂化学剂量比的ＬＮ晶体的出现，从而掀起了ＬＮ在光存储应用研究的又一个热潮。
掺杂ＬＮ晶体电光系数大，衍射效率高，保存时间长，易得大尺寸的晶体。现仍成为光存储材料研究的热点。光学体全息存储器件，在军事方面有着非常重要的用途，因有存储容量大，读取速率快，易实现光学相关识别与处理，无运动部件等优点已被各国军方高度重视并加快研究和开发。

作者: lczhy00001    时间: 2004-1-18 22:00
标题: 铌酸锂晶体在光电技术中的应用
激光频率转换光学器件
ＬＮ晶体非线性光学系数较大(d22=2.76,@1064nm)，能够实现非临界相位匹配，掺Ｍg:ＬＮ晶体大大地提高了晶体的抗光损伤阈值，故而成为一种重要的激光频率转换晶体。Ｍg:ＬＮ能实现Ｎd:ＹＡＧ激光器内倍频，Ｍg:Ｎd3+N能实现小功率激光器的自倍频，自调Ｑ.另外光学超晶格ＰＰＬＮ也能自倍频。
Ｍg：ＬＮ，ＰＰＬＮ还能用于光参量振荡器（ＯＰＯ），英国防御研究中心曾利用ＰＰＬＮ实现了将1500nm的激光70%-300%地转换成2000-5000nm连续可调的激光，这种激光技术，可实现对红外制导的导引头实施干扰。美国英国的军方部门现都开展了这项激光干扰技术的研究。
(PPlN)光学参量振荡器(OPO)技术的实现方法：（如图4）在一个腔内使用二块周期性极化的铌酸锂晶体，和其它光学器件，组成同步的光学参量振荡器。
其工作原理：由发光二极管和Nd:YAG泵浦的1064nm激光，送至光参量振荡器。第一块PPlN晶体在1064nm处泵浦并产生1460和3920nm和空闲光，在1460nm处的信号光然后泵浦位于同一光学腔内的第二块PPlN晶体产生2400nm和3730nm的激光。这种光学参量振荡器，有很高的转换效率，最高转换率可达到80%左右，理论上认为最高转换率可达到300%。
作者: lczhy00001    时间: 2004-1-18 22:01
标题: 铌酸锂晶体在光电技术中的应用
声学超晶格器件
南京大学的闵乃本院士等在ＬＮ晶片上制作出周期性交替变化的正负铁电畴（ＰＰＬＮ），构成超晶格材料。ＰＰＬＮ亦可应用于声学领域，例如，用ＰＰＬＮ已制作出几百至几千兆的谐振器和滤波器

作者: lczhy00001    时间: 2004-1-18 22:01
标题: 铌酸锂晶体在光电技术中的应用
体波ＢＡＷ 器件
ＬＮ晶体居里点高，压电效应强（d15＝7.8*10 –11C/N），机电耦合系数高0.68 ； 频率常数2400－3560Hz*m。在制作喷气机压力加速度计，钻探用压力传感器，大功率换能器，军方使用的声纳技术等领域已被广泛应用。
作者: zhl7577    时间: 2004-1-18 23:54
标题: 铌酸锂晶体在光电技术中的应用
高手！
作者: lczhy00001    时间: 2004-1-30 23:24
标题: 铌酸锂晶体在光电技术中的应用
多提看法
作者: lczhy00001    时间: 2004-7-26 04:19
光学LN晶体.
作者: lczhy00001    时间: 2004-7-26 19:31
作者: pkpkpkpkp    时间: 2004-8-25 00:10

一般的介绍而已,期待更多的东西

作者: 无机    时间: 2004-8-27 06:10

楼主从哪儿抄来的这么多东西？其实LN的应用大多华而不实，当然，现在算是用量最大的非线性晶体。其致命弱点是光损伤阈值太低，低温下性能不稳定，影响了在军事上（野外场合）的应用。其优点是可以大量生产（相对于KTP、LBO、BBO等熔盐法生长的晶体），成本低，故而产业化进程较快。

现在应用最多的场合是光通信中用作调幅器，还有隔离器等。

作者: fluorolog    时间: 2004-8-30 04:41

没有更好的其他的晶体去替代？

作者: 无机    时间: 2004-8-31 05:26

隔离器可以用钒酸钇，至于光通信用的调幅器，因为铌酸锂价格便宜（相对其它同样功能的晶体而言），暂时还没有其它的可替代品。

作者: lczhy00001    时间: 2004-8-31 06:05
以下是引用无机在2004-8-30 21:26:18的发言：

隔离器可以用钒酸钇，至于光通信用的调幅器，因为铌酸锂价格便宜（相对其它同样功能的晶体而言），暂时还没有其它的可替代品。

钒酸钇价格太高!!成本是LN的10倍,另外现在的LN年产量为上百吨,其他晶体远没这么大量!

另外LN光波导已批量生产.为什么说他华而不实哪??

其实要想弄清LN的更多用途只有自己去了解.

纸上德来终觉浅,决知此事要躬行!!1

作者: lczhy00001    时间: 2004-8-31 06:13
以下是引用fluorolog在2004-8-29 20:41:24的发言：

没有更好的其他的晶体去替代？

没有!

至少现在没有!

作者: xyqy    时间: 2004-8-31 14:38
以下是引用无机在2004-8-26 22:10:00的发言：

楼主从哪儿抄来的这么多东西？其实LN的应用大多华而不实，当然，现在算是用量最大的非线性晶体。其致命弱点是光损伤阈值太低，低温下性能不稳定，影响了在军事上（野外场合）的应用。其优点是可以大量生产（相对于KTP、LBO、BBO等熔盐法生长的晶体），成本低，故而产业化进程较快。

现在应用最多的场合是光通信中用作调幅器，还有隔离器等。

以下是引用pkpkpkpkp在2004-8-24 16:10:33的发言：

一般的介绍而已,期待更多的东西

华瑞光学自己生长的光学级铌酸锂晶体和掺杂的铌酸锂晶体，在国内应该算是第一流的了。很少有人可以赶上，包括26所。

华瑞光学的几个小伙子都是很有一套的。

作者: 无机    时间: 2004-9-1 05:06

呵呵，企业对我国技术发展的贡献，我是比较佩服的。至少比现在许多科研单位和大专院校骗取国家科研经费，最后却尽是弄些华而不实的东西好多了。

请问楼上的，掺杂铌酸锂得到真正的应用了吗？据我所知，还远远没有。虽然中国人搞了一个掺杂的LN，号称“中国之星”，但真正应用还不多。

作者: 无机    时间: 2004-9-1 05:15

华瑞光学的朋友，给你们提一个建议，贵公司的网页可设计得不怎么样，有待提高。

另外说明一点，我前面所言铌酸锂的应用（调幅器和隔离器等）是指光学上的应用，低档一些的大量应用在SAW上。另外你们说的那么多的光波导方面的应用就是我说的调幅器。

作者: gichen    时间: 2004-9-5 02:34

继续灌水

看不到文章謝謝分享~~^^

作者: ciomwy    时间: 2004-9-5 17:52

目前做光全息存储好象重复性不是很好，似乎每一块用起来性能都不太一样。

作者: 无机    时间: 2004-9-6 04:46
晶体作全息存储有两个缺点，最根本的是价格太高，没法普及。其次，现在的光折变晶体响应时间都太长，影响了读出写入速度。
作者: xyqy    时间: 2004-9-6 05:23
以下是引用无机在2004-9-5 20:46:19的发言： 晶体作全息存储有两个缺点，最根本的是价格太高，没法普及。其次，现在的光折变晶体响应时间都太长，影响了读出写入速度。

不错！！

另外还有说明的就是全息存储的各个方面的研究和制作都还处于实验室阶段，还有相当一段路要走。

不过，这终究是方向之一。

作者: 无机    时间: 2004-9-6 20:00
有许多实验室的技术是永远不能得到实际的、大量的应用的。说得形象一点，有些古猿是注定进化不成人类的（因为它们已经走入了死胡同），只能进化成现在的大猩猩等。
作者: shh028    时间: 2004-9-7 00:23
标题: PPLN

请问，在哪儿可以买到PPLN晶体。另外，可以谈一些用PPLN倍频的应用吗？

作者: 无机    时间: 2004-9-7 05:11
周期性极化铌酸锂在国内做得都不好，商品的东西更没有。PPLN这种东西主要是利用上了最大的非线性系数分量，所以可以做半导体激光的倍频。实际应用还有很长的一段路要走。
作者: macmanaman    时间: 2004-9-7 23:27
光全息存储
作者: lczhy00001    时间: 2004-9-8 00:14
以下是引用无机在2004-8-31 21:15:04的发言：

华瑞光学的朋友，给你们提一个建议，贵公司的网页可设计得不怎么样，有待提高。

另外说明一点，我前面所言铌酸锂的应用（调幅器和隔离器等）是指光学上的应用，低档一些的大量应用在SAW上。另外你们说的那么多的光波导方面的应用就是我说的调幅器。

感谢你的建议!

我司前几天请了为高手正在从新制作.过几天就会看到全新的网页.

作者: lczhy00001    时间: 2004-9-8 00:16
以下是引用无机在2004-9-6 21:11:53的发言： 周期性极化铌酸锂在国内做得都不好，商品的东西更没有。PPLN这种东西主要是利用上了最大的非线性系数分量，所以可以做半导体激光的倍频。实际应用还有很长的一段路要走。

PPLN在国内浙大做的不错.

作者: lczhy00001    时间: 2004-9-8 00:17
以下是引用xyqy在2004-8-31 6:38:01的发言：

华瑞光学自己生长的光学级铌酸锂晶体和掺杂的铌酸锂晶体，在国内应该算是第一流的了。很少有人可以赶上，包括26所。

华瑞光学的几个小伙子都是很有一套的。

谢谢小吴的夸奖!

能得到你的表扬是很难得!!!

作者: wangchunjie    时间: 2004-9-9 17:34

谢谢各位提供这么多铌酸锂用途的材料 。

支持你们

作者: 无机    时间: 2004-9-10 06:02
等贵公司的网页改好了，我再上去学习学习
作者: zwd_bob    时间: 2004-9-10 20:35

NICE!

作者: lczhy00001    时间: 2004-9-12 22:26
以下是引用无机在2004-9-9 22:02:50的发言： 等贵公司的网页改好了，我再上去学习学习

好,谢谢光临!

作者: lczhy00001    时间: 2004-10-27 21:07
我司网站现已更新,欢迎各位浏览.
作者: hflin95    时间: 2004-10-28 20:45
标题: LN

LN易生长，成本低而且应用广泛；而PPLN制作难度大，成本高，而且制作工艺也不成熟，作为倍频晶体（蓝光和紫光或紫外光激光器的倍频晶体），与其他的倍频晶体相比，PPLN有什么优点？

作者: 自出洞来    时间: 2004-11-4 23:22
华瑞光学的朋友，请问能否提供一下国内生长光学级LN的主要生产厂家？以及生产量有多大？最近有人跟我约稿，其中就有关于LN的。先谢谢了
作者: hflin95    时间: 2004-11-5 16:39
标题: PPLN极化电源？

LN周期极化时对电源的要求很高，需要高压肪冲波形发生器，对波形的要求很严格，谁能提供适合于LN周期极化用的电源的一些信息，包括供应商，价格等，谢谢！

作者: lczhy00001    时间: 2004-11-5 21:57
以下是引用自出洞来在2004-11-4 15:22:46的发言： 华瑞光学的朋友，请问能否提供一下国内生长光学级LN的主要生产厂家？以及生产量有多大？最近有人跟我约稿，其中就有关于LN的。先谢谢了

我已发到你信箱里.

作者: lczhy00001    时间: 2004-11-5 21:58
以下是引用hflin95在2004-11-5 8:39:26的发言：

LN周期极化时对电源的要求很高，需要高压肪冲波形发生器，对波形的要求很严格，谁能提供适合于LN周期极化用的电源的一些信息，包括供应商，价格等，谢谢！

国产的设备就不错,在上海就可以买到.具体的型号就要看你自己的工艺需求了.

作者: 自出洞来    时间: 2004-11-6 00:01
以下是引用lczhy00001在2004-11-5 13:57:15的发言：

我已发到你信箱里.

谢谢，我已经给你回了信

作者: lczhy00001    时间: 2004-11-6 00:33
感谢!我已回复!
作者: hflin95    时间: 2004-11-8 18:23
标题: 谢谢你提供的信息
老兄，谢谢你提供的信息！能否更详细一些，我把波形要求用邮箱给你发了，希望能得到帮忙，谢谢
作者: cosmos    时间: 2004-11-23 04:27

请问，LN用于相位调制，怎么个用法，另外，现在又没有现成的相位调制器卖，用于激光的相位调制。！！！！！1

作者: hujingjane    时间: 2004-12-4 02:35

我想问一下，铌酸锂晶体单位面积能够承受的光功率有多大？

现在想用铌酸锂晶体的调制器，但是激光器的输出功率有2瓦，不知道行不行，

作者: liusheli    时间: 2004-12-9 03:42

顶

作者: 幸福时光    时间: 2004-12-14 17:04

www.eospace.com

绝对好好产品,好厂商.

作者: grating-opt    时间: 2004-12-18 23:29
以下是引用hujingjane在2004-12-3 18:35:22的发言：

我想问一下，铌酸锂晶体单位面积能够承受的光功率有多大？

现在想用铌酸锂晶体的调制器，但是激光器的输出功率有2瓦，不知道行不行，

请问你是连续的还是脉冲的？

如果是连续的激光还可以。

作者: paulchenwy    时间: 2005-4-1 19:58

LN的另外一个应用是基于相位调制的电场测量，利用M-Z结构将相位转换为幅度，可以用作电磁兼容领域的计量，我正在从事这方面的研究

作者: lczhy00001    时间: 2005-6-7 22:36
现在光隔离器用楔角片市场很大。
作者: lczhy00001    时间: 2005-6-9 00:31
有对LN感兴趣的可以探讨， lczoptics@yahoo.com.cn
作者: lczhy00001    时间: 2005-12-25 00:20
标题: 我们的加工设备




作者: lczhy00001    时间: 2005-12-25 00:21
标题: 4英寸LN\MG;LN




作者: lczhy00001    时间: 2005-12-25 00:23




作者: lczhy00001    时间: 2005-12-25 00:31

LiNbO3

On its excellent optical and electrical properties, LiNbO3 is one of the most important materials used for the field of optics and electronics, such as laser components, wafers for surface acoustic wave devices, wafers for integrated optics applications and doped LiNbO3 crystals for nonlinear optics (MgOiNbO3, ZnO: LiNbO3), photo-refractive effects devices (FeiNbO3), etc.

OPO, Frequency and Quasi-Phase-Matched (QPM) Doublers

LiNbO3 is commonly applied as not only frequency doubler (wavelength 1 mm) but optical parameter oscillator (OPO) pumped at 1.064 mm, as well quasi-phase-matched (QPM) doubler. HROPTICS supplies laser-grade LiNbO3 devices of (3-20) x (3-20) mm2 aperture and up to 60 mm length for frequency doubler and optical parameter oscillator, with high quality, large quantity and low price. Its properties show as follows:

Basic Properties

Crystal Structure

Trigonal, point group 3m

Lattice Parameters

a=5.148Å, c=13.863Å

Density

4.64 g/cm3

Melting Point

1250 °C

Curie Point

1160 °C

Mohs Hardness

5

Dielectric Constant

e11/e0 = 85; e33/e0 = 29.5

Absorption Coefficient

~ 0.1%/cm @1064 nm

Thermal Conductivity

38 W/m/°C at 25°C

Thermal Expansion Coefficient

a1=a2 =2x10-6/°C, a3=2.2x10-6/ °C at 25°C

Piezoelectric Strain Constant

d22 = 2.04 x 10-11 C/N, d33 = 19.22 x 10-11 C/N

Elastic Stiffness Constant

CE11 = 2.04 x 1011 N/m2, CE33 = 2.46 x 1011 N/m2

Optical and NLO Properties

Transparency Region

3700 ~ 5000 nm

Sellmeier Equations (l in mm)

no2 = 4.9048+0.11768/(l2-0.0475)-0.027169l2

ne2 = 4.5820+0.099169/(l2-0.04443)-0.02195l2

Optical Homogeneity

Dn ~ 5x105/cm2

Nonlinear Coefficients

deff=13.6 d36(KDP) for OPO at 1064 nm

deff =14.6 d36(KDP) for SHG at 1300 nm

deff =45.0 d36(KDP) for QPM

Refractive Indexes

no ne

2.220 2.146 @ 1300 nm

2.322 2.156 @ 1064 nm

2.286 2.203 @ 632.8 nm

Electro-optic Coefficients (pm/V)

Low frequency High frequency

g33 32 31

g31 10 8.6

g22 6.8 3.4

Damage Threshold

250 KW/cm2 at 1064 nm (10 ns)

X-CUT

76.2 diameter*0.5---1.0mm HR-LNX0305-10

Z-CUT

76.2 diameter*0.5---1.0mm HR-LNZ0305-10

Y-CUT

76.2 diameter*0.5---1.0mm HR-LNY0305-10

127.86° Y-cut,

76.2 diameter*0.50mm HR-LNY1040305

64° Y-cut,

76.2 diameter*0.5mm HR-LNY640305

Applications for Q-switch Elements

LiNbO3 is extensively used as electro-optic modulator and Q-switch for Nd:YAG, Nd:YLF and Ti:Sapphire lasers as well as modulator for fiber optics, etc. The transverse modulation is mostly employed for LiNbO3. If a LiNbO3 crystal is used as Q-switch crystal, the light propagates in Z-axis and electric field applies to X-axis, the refractive retardation will be G = pLno3¡22V/ld. MgOiNbO3 and ZnO: LiNbO3 crystals have similar electro-optic properties to LiNbO3 but with higher damage threshold. The specifications of LiNbO3 Q-Switch Elements listed as the following table:

LiNbO3 Q-Switch Elements

Standard Dimension

9x9x25 or 10x10x20mm3 (other dimension is also available upon request)

Dimension Tolerance

X Y-axis: ± 0.1mm ; Z-axis: ± 0.3mm

Wavefront Distortion

l/4 @633nm

Orientation Accuracy

X Y-axis: 10'; Z-axis: 5'

Flatness

l/8 @632.8nm

Parallelism

10"

Scratch/Dig Code

10/5 per MIL-O-13830A

Chamfer

0.5 mm at 45º ± 5º

AR-Coating

R 0.2% @ 1064 nm

Electrodes

Gold electrode on X-faces

Extinction Ratio

400:1 @ 633 nm for f 6mm beam)

`

Surface Acoustic Wave (SAW) Devices

LiNbO3 crystal is widely applied as an excellent acousto-optic material for surface acoustic wave (SAW) devices (such as filters, oscillators and resonators) and ultrasonic transducer due to its high electro-mechanical coupling factor, low acoustic transmission loss, stable physical and chemical properties.

HROPTICS can supply large quantities of LiNbO3 boules, as-cut or finished f3" wafers available up to 6,000~ 9,000 pieces per month with good quality and very low price. The basic specifications and typical properties for LiNbO3 SAW wafer are listed as following:

Bsic Specifications of LiNbO3 SAW Wafer

Standard Dimension

f3.0² (±0.01²) x 0.51 mm (±0.05 mm)

Typical Orientation

1) 127.86° Y-cut, 2) 64° Y-cut, 3) Y-cut, 4) Z-cut

Surfaces Finish

One surface mirror polished to Ra less than 10Å, reverse surface fine ground

Bow

20 mm

Typical properties of LiNbO3 SAW Wafer

Orientation

127.86° Y-cut

Y-cut

SAW Velocity

3970 m/s

3485 m/s

Electromechanical Coupling Factor

Ks2=5.5%

Ks2=4.3%

Temperature Coeff. of Delay (TCD)

78 x 10-6/°C

95 x 10-6/°C

Temperature Coeff. of Velocity (TCV)

-60 x 10-6/°C

-80 x 10-6/°C

LiNbO3 Wedges/Birefringent Substrates for use in fiber optics

Specifications:
Aperture
1.0 x 1.0 mm2 to 4 x 4 mm2
Dimension tolerance
+/-0.05mm
Wedge Angle tolerance
+/-0.1o
Optical axis orientation
+/-0.5o
Flatness
l/4 @632.8 nm
Surface Quality
20-10
AR-coating
R0.2%
Standard Sizes
a) 1.25mmx1.25mmx0.25mm(top end) or
0.55mm(bottom end)
b) 1.6mmx1.6mmx0.55mm
Cutting Angle
q=90o, f=22.5o
Wedge Angle
13o or 15o
Coating
Two apertures AR coated typically for ~1550nm
Quantities Available
50,000 to 70,000 per month

Waveguide Substrates

LiNbO3 crystal is the mostly used inorganic substrate for electro-optic waveguide applications.

Specifications of LiNbO3 Waveguide Substrates

Standard Dimension

1) 50x50x1 mm3 for X-cut, Y-cut, or Z-cut

2) f 3"x1 m m3 for Y-cut or Z-cut

3) Other dimension is available upon request.

Orientation Tolerance

10'

Surfaces Finish

One surface polished to better than l/2 (with mount) and free from surface defects when observed by a 50X microscope, the other face fine ground

. Magnesium Oxide Doped Lithium Niobate (MgOiNbO3)

作者: lczhy00001    时间: 2005-12-29 21:17

今天发现帖子置顶了,感谢斑竹,希望有关光学LN的朋友多多交流.

作者: lczhy00001    时间: 2006-1-11 16:45


作者: lczhy00001    时间: 2006-1-11 16:52

公司动态:

2006年5月再新增2台3英寸光学铌酸锂(LN) 单晶炉.其中3英寸MgN月产量10千克,FeN5千克.纯LN晶体15千克.欢迎考察选购.

作者: lczhy00001    时间: 2006-1-11 16:54

公司动态

2006年元月15号公司网站更新后同大家见面.欢迎大家浏览.

作者: mrjianjian    时间: 2006-1-11 21:31
铌酸锂是被称为万能晶体的吧
作者: lczhy00001    时间: 2006-1-17 17:34


FEN





MgN
作者: shenbb2470    时间: 2006-1-27 08:42

13楼的朋友说的很好，从60年代对LN的开发生产，到现在的大量生产及使用，这无疑是经过了反复的研究

而不久的将来KTP、LBO、BBO等熔盐法生长的晶体相信也会如此

作者: bluelight    时间: 2006-3-3 03:52

LZ,"这种光学参量振荡器，有很高的转换效率，最高转换率可达到80%左右，理论上认为最高转换率可达到300%。"

请解释一下，300％的理论效率？

作者: E-WINNER    时间: 2006-3-20 01:47

不過铌酸锂晶体在這些应用上

其製程是否很難達成?

作者: phey    时间: 2006-4-3 04:48
要是现在就能把铌酸锂的光存储技术实现民用化就好了，太省地方了。
作者: myxinjie    时间: 2006-4-28 00:27
PPLN 有人研究吗。我最近在做。
作者: lczhy00001    时间: 2006-5-6 22:39
有人在做,浙大的公司作了几年了.
作者: ly1983    时间: 2006-5-13 02:02
楼主同志,能给我发一份详细资料吗?谢谢.  sagl1983@163.com
作者: zemax    时间: 2006-5-15 10:30

LN做电光Q开关的最大优点就是所要的电压低，在我们的实验中，２００来伏就够了。(BBO要１KV左右,KDP要差不多４KV)

问题就是光伤阈值低，压电效应强，共振频率低，我们用几KHz的调Q重复频率就可以从输出光脉冲里面看到晶体的共振。不适合做高功率高重复频率的调Q.

作者: lczhy00001    时间: 2006-5-29 17:35
www.LiNbO3.com 或www.hroptics.cn
作者: crystalspack    时间: 2006-6-27 17:08

本公司为LN系列晶体，提供包装盒：

1.LN楔角片---自吸附盒系列

2.LN大块晶体---弹性盒系列。特别9*9*25或9*9*30请选用CPK-M-7816

作者: lczhy00001    时间: 2006-7-14 22:31

公司目前主要设备有：
生长设备：中频感应加热单晶炉60台 ， 烧结、退火极化设备30台。
加工设备：HYPREZ 型号ENGIS双面研磨、抛光机4台，X62 830-1型号单面减薄抛光机15台，C62 640-2/YJ9B型号双抛机4台，QP301D型号切割机10台，线切割机一台，DISCO321型号划片机2台，自动粘片机2台，自动倒角机2台等
检测设备：居里温度测试仪，激光平面干涉仪，粗糙度检测仪，大功率激光器等
清洗设备：超声波清洗机1台



作者: lczhy00001    时间: 2006-7-14 22:33


压电级铌酸锂单晶

1. 晶体轴向: X Y Z, Y64, Y127.86, Y135

2. 轴向精度: ±0.2,晶体二端面抛光。

3 直径: 100.0±0.5 mm, 76.2±0.5 mm, 50.8 ±0.5mm

4. 长度: 40～100 mm。

5. 居里温度：1142±1C

6. 第一参考面定向精度: 小于±0.20。

7. 第一参考面长度: 32±2 mm (4〞),22±2 mm (3〞)

8. 第二参考面： 12±3 mm (4〞),10±3 mm (3〞)

9. 外观：无开裂、气泡及杂质

光学单晶铌酸锂光学单晶

1. 晶体轴向: X, Z

2. 轴向精度: ±0.20, 晶体二端面抛光。

3. 直径: 76.2±0.5 mm 100±0.5mm

4. 长度:40～80 mm。

5. 居里温度：1142±1C

6. 第一参考面定向精度: 小于±0.20。

7. 第一参考面长度: 22±2 mm(3〞)。 32±2 mm (4〞)

8. 第二参考面： 10±3 mm

9. 外观：无开裂、气泡及杂质。

10.晶体的光学特性：

（1）透光波段：370—5000nm

（2）折射率：（633nm）no=2.286 ne=2.200

（3）折射率梯度（633nm）≤5×10-5/cm

（4）光透过率（633nm）≥68%

（5）双折射率：△n= no - ne≈0.08

掺杂光学铌酸锂晶体

1. 材料： (1)掺铁铌酸锂晶体（0.1---1mol%）（FeN）

(2)掺镁铌酸锂晶体(5--6mol%) (MgN)

2.晶体轴向: X, Z 及各种规格

3.轴向精度: ±0.20, 晶体二端面抛光。

4.直径: 76.2±0.5 mm

5.长度: 40～80 mm。

6.第一参考面定向精度: ±0.20。

7.第一参考面长度: 22±2 mm。

8.第二参考面： 10±3 mm

9.外观：无开裂、气泡及杂质。

晶片

1.光学LN晶片的要求：

1晶片直径： Φ76.2±0.5mm Φ100±0.5mm
2晶片厚度：(1) 0.50±0.05mm (2) 1.0±0.05mm (3) 0.79±0.01mm

(4) 0.71±0.01mm (5) 0.66±0.01mm
3晶片弯曲度：≤ 10um
4晶片锥度：≤ 10um
5晶片轴向：要求的轴向±0.20
6基准边和方向要求：
(1)基准面——不超过 ±0.20
(2)基准长度： 22±2mm。
(3)第二基准长度： 10±3mm

7晶片表面抛光质量：
(1)晶片表面：晶片双面抛光10/5
(2)晶片倒角：保护性倒角。
8居里温度：1142±1C

2.晶片光学性能：

(1)透光波段：370—5000nm
(2)折射率：（633nm）no=2.286 ne=2.200
(3)折射率梯度（633nm）≤5×10-5/cm
(4)光透过率（633nm）≥68%
(5)双折射率：△n= no - ne≈0.08

3．不同方向晶片的规格：

1 X-cut
(1)轴向：X±0.20
(2)基准方向：Z轴
(3)第二基准： 沿Y轴顺时针方向转135度

2 Z-cut
(1)轴向：Z±0.20
(2)基准方向：X轴
(3)特殊规格按客户要求。

4. 包装：

(1)晶片经清洗后被包装在塑料盒内，每盒25片。内附产品合格证及产品检验报告。

压电级铌酸锂晶片
一般LN晶片的要求：

1晶片直径：(1)Φ76.2±0.5mm (2) Φ100.0±0.5mm
2晶片厚度：(1)0.50±0.05mm (2) 0.35±0.03mm
3晶片弯曲度≤ 40um
4晶片锥度≤ 20um
5晶片轴向：要求的轴向±0.20
6基准边和方向要求：
(1)基准面——不超过 ±0.20
(2)基准长度：(1)22±2mm (2)32±2mm
(3)第二基准长度：(1)10±3mm (2)12±3mm
7晶片表面抛光质量：
(1)晶片表面：镜面抛光10/5
(2)晶片背面：客户可自定粗糙度指标。
(3)晶片倒角：保护性倒角。
8晶片居里温度：1142±2C

2.不同方向晶片的规格：

36Y-cut
1轴向：36Y±0.20
2基准方向：X轴

3第二基准：无
42Y-cut
1轴向：42Y±0.20
2基准方向：X轴
3第二基准：沿第一基准顺时针方向转180度作第二基准。
X-112Ycut
1轴向：X轴±0.20
2基准方向：+112Y

3.包装:

晶片经清洗后被包装在塑料盒内，每盒25片. 内附产品合格证及产品检验报告
作者: lczhy00001    时间: 2006-7-14 22:34

1、LN楔角片

Specifications:

Aperture

1.0 x 1.0 mm2 to 4 x 4 mm2

Dimension tolerance

+/-0.05mm

Wedge Angle tolerance

+/-0.1o

Optical axis orientation

+/-0.5o

Flatness

l/4 @632.8 nm

Surface Quality

20-10

AR-coating

R0.2%



Standard Sizes

a) 1.25mmx1.25mmx0.25mm(top end) or
0.55mm(bottom end)
b) 1.6mmx1.6mmx0.55mm

Cutting Angle

q=90o, f=22.5o

Wedge Angle

13o or 15o

Coating

Two apertures AR coated typically for ~1550nm

Quantities Available

50,000 to 70,000 per month

2、E-O开关

LiNbO3 Q-Switch Elements

Standard Dimension

9x9x25 or 10x10x20mm3 (other dimension is also available upon request)

Dimension Tolerance

X Y-axis: ± 0.1mm ; Z-axis: ± 0.3mm

Wavefront Distortion

l/4 @633nm

Orientation Accuracy

X Y-axis: 10'; Z-axis: 5'

Flatness

l/8 @632.8nm

Parallelism

10"

Scratch/Dig Code

10/5 per MIL-O-13830A

Chamfer

0.5 mm at 45º ± 5º

AR-Coating

R 0.2% @ 1064 nm

Electrodes

Gold or Cr electrode on X-faces

Extinction Ratio

400:1 @ 633 nm for f 6mm beam)

3、LN optical modulation,(LN调制器)

Standard Dimension

1.5*1.5*30mm，4*2.5*60mm1.5*1.5*60mm

Dimension Tolerance

X Y-axis: ± 0.1mm ; Z-axis: ± 0.3mm

Wavefront Distortion

l/4 @633nm

Orientation Accuracy

X Y-axis: 10'; Z-axis: 5'

Flatness

l/8 @632.8nm

Parallelism

10"

Scratch/Dig Code

10/5 per MIL-O-13830A

Chamfer

0.5 mm at 45º ± 5º

AR-Coating

R 0.2% @ 1064 nm

Electrodes

Gold or Cr electrode on X-faces OR Z-face

Extinction Ratio

400:1 @ 633 nm for f 6mm beam)

4、LN光波导片

LiNbO3 Waveguide Substrates

Standard Dimension

1) 50x50x1 mm3 for X-cut, Y-cut, or Z-cut

2) f 3"x1 m m3 for Y-cut or Z-cut

3) Other dimension is available upon request.

Orientation Tolerance

10'

Surfaces Finish

One surface polished to better than l/2 (with mount) and free from surface defects when observed by a 50X microscope, the other face fine ground



作者: flywithu2005    时间: 2006-8-5 22:47
謝謝分享
作者: lczhy00001    时间: 2006-8-21 19:02
标题: FE:LN

掺铁铌酸锂性能指标

晶体尺寸：Φ80-100*30-80

掺杂量：0.01mol% -0.15mol%,用户可定

最大折射率调制度：2.8*10-5

灵敏度：14.6*10-2cmJ-1

动态范围4.2

写入时间：75s

擦除时间：540s

掺锌铁铌酸锂性能指标

晶体尺寸：Φ80-100*30-80

掺杂量：Zn6mol% Fe0.03mol%

最大折射率调制度：1.6*10-5

灵敏度：14*10-2cmJ-1

动态范围0.7

写入时间：40s

擦除时间：55s

作者: lczhy00001    时间: 2006-8-21 19:05

作者: Justing    时间: 2006-9-5 18:47

赞同，LN的应用大多华而不实，我们主要用它来做电光Q开关。

RTP性能比之更好，应用前景更广泛

作者: xinkaifish    时间: 2006-10-15 23:59

可用于产生光折变表面波和制作表面波导

作者: lczhy00001    时间: 2007-3-30 20:53
www.jsgd.net
作者: jiangfeng    时间: 2007-5-23 06:36
光学设计软件和光学资料http://blog.sina.com.cn/OpticDesign
作者: dodo7776    时间: 2007-6-4 11:41
楼主能否提供一下LN光电开关的资料？
我很需要。
想做LN光电开关
作者: dodo7776    时间: 2007-6-20 11:46
其实LN可以做光电开关，通过离子注入可改变半波电压
作者: dodo7776    时间: 2007-6-20 11:47
没什么人来回一下,我自己顶啊
作者: 远方    时间: 2007-6-25 19:07
作者: sl20pt    时间: 2007-7-10 17:04
有谁能提供下PPLN极化电源的厂家呢

小弟目前在做PPLN
作者: lczhy00001    时间: 2008-3-29 13:49
原帖由 sl20pt 于 2007-7-10 17:04 发表
有谁能提供下PPLN极化电源的厂家呢

小弟目前在做PPLN

这个只有进口的.国内的没有.
作者: 电阻    时间: 2008-3-31 11:04
请问楼主，这种晶体可以直接倍频激光二极管出来的激光吗？ 比如808nm的激光二极管，经过这种晶体后成为404nm的激光，980NM的激光二极管，经过LN晶体成为490nm的激光吗？使用几十毫瓦的激光可以使这种晶体发生作用吗？当然我手头还有几只1064nm的激光二极管，功率是200毫瓦和1000毫瓦的，要是使用你们的晶体能出来532nm的激光就好了。谢谢！！！
作者: quickshare    时间: 2008-4-19 15:23
不管怎么樣 樓主就是好樣的 沒什么說的 支持一下羅
作者: 天下勿我    时间: 2009-8-25 23:35
楼住不在了吗。我现在做LN楔角片。遇到点困难能教下我吗



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