光电工程师社区

标题: [讨论]预熔材料到什么状态比较合适？ [打印本页]

作者: vietti 时间: 2004-4-8 17:23
标题: [讨论]预熔材料到什么状态比较合适？

预熔材料到什么状态比较合适？

作者: zz 时间: 2004-4-8 17:29

表面熔融，不再放气

作者: vietti 时间: 2004-4-8 18:27

如何观察表面熔融？

表面熔融状态时如果用晶控观察，沉积速率有1A/s吗？

预熔时的电子枪功率一般比蒸镀时小很多吗？

作者: Jesus 时间: 2004-4-8 23:13

预熔时候有1A/s,你的电子枪挡板是不是没遮挡全啊。预熔时应该无蒸发的啊。

功率比蒸发时小是为了避免喷溅和减少材料的蒸发。也可以逐步加大束流，保证材料充分放气。

作者: fredsarah 时间: 2004-4-12 00:03
to up, you shold respect religion

作者: cjyzq 时间: 2004-4-12 02:20

TiO2-- 预熔电流大于蒸发电流，使材料充分放气。在镀膜时充氧达到平衡可减少吸收。

Ti3O5--同上。

作者: zhuhhui 时间: 2004-4-12 05:13
预熔使材料充分放气，表面平整，驱除脏东西

作者: 对与错 时间: 2004-4-15 03:09
那要看你预容的甚么药材了,看药材而定,老哥下次把药名写上来啊

作者: aigzh 时间: 2004-4-16 01:04
我顶

作者: cjyzq 时间: 2004-4-16 04:51

SiO2--不需要预熔，可直接蒸镀。

ZrO2--表面熔融，不再放气

作者: 快乐小鱼 时间: 2004-4-16 06:09

Tio预熔时要多久合适？

通常预熔5分钟，可是蒸镀时仍回溅料，这是为何？

作者: cjyzq 时间: 2004-4-17 04:05
Tio预熔时必须充分预熔不分预熔时间长短。

作者: darkspace4321 时间: 2004-6-15 06:25
标题: 回复：（vietti）[讨论]预熔材料到什么状态比较合适？...

SiO好像也需要预熔到表面熔融，不再放气为止

作者: qhbd 时间: 2004-6-15 20:36
要是金属靶材，就充分融化；若是介质或化合物，就在你的束斑扫描范围内融化，气压不随束流大幅变化时，可以认为出气已经稳定，熔融状态适合蒸镀；若是直接升华的材料另当别论了

作者: zjtzzw 时间: 2004-6-16 02:06
那是因为你没有充分熔融，还有气泡在里面所以会出现这种情况。

作者: mzxnhgs 时间: 2004-6-16 19:57
AL2O3需预熔的时间较长

作者: ofao 时间: 2004-6-17 00:48

不同的膜料有不同的预熔参数，主要要保证膜料熔透，放气平稳

作者: llllds 时间: 2004-7-1 03:56
颗粒的sio2要预熔，环状的sio2不要预熔。

作者: zz 时间: 2004-7-2 22:22

没必要？有必要？

作者: zjtzzg 时间: 2004-7-4 05:14
SiO2用枪扫一下就可以了，不需要过分预。

作者: showashinku 时间: 2004-9-7 00:20

预熔到压力不变化，就是完全脱气

具体时间要看所用功率

记住盖挡板！

作者: hgw2001 时间: 2004-11-18 23:36

其实预熔时间的长短主要上看你的真空度在预熔功率加到膜料蒸发时的功率下是不是达到一个稳定的状态。如果是那么你在正式镀时它就不会放气了。这样你的膜料就算是熔好了

作者: vietti 时间: 2004-11-19 02:39

预熔随着束流增大，气压会变高，除了脱气的原因外，

膜料预熔时有部分蒸发出来也会影响气压吧

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