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标题: [请教与探讨] 哪种材料在650nm附近全吸收? [打印本页]

作者: mykosovo 时间: 2004-4-13 00:29
标题: [请教与探讨] 哪种材料在650nm附近全吸收?

想镀一种在650nm附近全吸收(或接近全吸收)的介质膜。请问什么膜系可以支持这种要求？大概镀几层呢？

急！请各位赐教！！！

作者: rmchen 时间: 2004-4-13 06:36
是有一些膜料近似满足你的要求，但吸收带是在紫外到600nm左右。你试试Sb2S3(折射率可以做到3.0)和ZnTe(n=2.8)。这么高的折射率，做全反也要不了几层。

作者: mykosovo 时间: 2004-4-13 16:18

"全反"? 我怎么理解成了"全透"啊?

另外, 如果我们镀上非晶硅(Amorphous Silicon), n3.0, 是不是也该满足这种要求啊?

谢谢!

作者: mykosovo 时间: 2004-4-13 17:40
哪位大侠能介绍一下 "Sb2S3"(Antimony Sulphuret, 三硫化二锑) ???

作者: mykosovo 时间: 2004-4-13 19:29

怎么没人回复啊?

斑竹, 帮帮忙嘛

作者: 马大嘴 时间: 2004-4-13 19:52
哪位大侠能介绍一下 "Sb2S3"(Antimony Sulphuret, 三硫化二锑) ???

作者: rmchen 时间: 2004-4-14 07:21
我是从一些很少有人注意到的资料上查到的这种膜料，两年半以前有一种膜需要超高折射率材料，所以查了一下。但现在我也忘了是在哪儿查到的了。但可以肯定的是，这两种材料使用过的人极少。

作者: rmchen 时间: 2004-4-14 07:30

以下是引用mykosovo在2004-4-13 8:18:04的发言：

"全反"? 我怎么理解成了"全透"啊?

另外, 如果我们镀上非晶硅(Amorphous Silicon), n3.0, 是不是也该满足这种要求啊?

谢谢!

看来我误会你的意思了。我以为你只是在650nm附近吸收，长波方向还要用的。所以推荐的这两种膜料都是截止到600nm附近而已，650再靠全反膜。如果只是650吸收，没有其它考虑，那么硅是很好的选择。它在1000nm以下都是吸收的。

作者: rmchen 时间: 2004-4-14 07:32
但硅未必很好做。

作者: coatingli 时间: 2004-4-14 15:59
Sb2S3确实没用过哦，我还是没理解楼主的意思，如果用Si固然可以但是这就不是只有650nm吸收了，整个可见光区都吸收了。

作者: mykosovo 时间: 2004-4-14 16:17

谢谢大家的回复！

是这样的，我们用的是激光器，波长为650nm，基本上没有其他波长的光，所以，其他波长可以不考虑。rmchen所说的Si我想可以考虑。但鉴于工艺、设备所限，不是每种Si我们都做得了。

BTW：你说的Si是指的非晶Si吗？

谢谢！

作者: rmchen 时间: 2004-4-15 07:08
这个问题我也糊涂。我请教别人得到两个完全相反的结论：一些人说，单晶硅是纯硅；另一些人说，多晶硅才是纯硅。

作者: eagle1 时间: 2004-4-18 05:53

我觉得COATINGLI的说法是正确的,应该说,Si和ZnTe这两种材料在可见区是不透的,所以如果选用这两种材料, 不知道能不能符合你的要求.Sb3S2我不知道.

作者: mykosovo 时间: 2004-4-19 22:20

因为我们用的是激光器，如果它在整个可见光区域都能吸收，那就更能满足要求了。

只是不知道对满足这种条件的Si有何具体要求？一般建议用什么工艺和设备呢？

作者: chugqchugq 时间: 2004-4-26 19:41
金属加介质膜可已达到你的要求

作者: 缘睐汝痴 时间: 2011-10-17 11:03
学习

作者: Jimmy_tang 时间: 2011-10-17 11:26
别把7年前的死贴又挖出来！
不过，他们俩说的其实不对。单晶硅和多晶硅只是硅的晶体结构，都是用于做太阳能电池的，与纯度关系不大，不过很简单的，因为多晶硅的晶界多，所以阻抗大，因此光电转化效率低些，但它容易制成，成本明显低于单晶硅。因此多晶硅电池板的数量明显比单晶硅电池板多的多。而近几年非晶硅电池板又因为它可以做成薄膜太阳能电池，因此更受青睐一些。
他们所说的膜，究竟是用于吸收还是用于反射？两个家伙都没说清楚，不过结合前后文，看起来应该是用在太阳能电池板底部，反射透过的光，以使得光重新进入硅片里面的吧。

作者: Martin_Ko 时间: 2011-11-1 02:57
学习了

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