有哪位大虾对蒸Si的工艺比较了解啊？比如蒸硅时的最大速率，以及对应的温度。
是不是蒸硅速率比较高，而且基片温度也比较高时速率很不容易控制啊？另外，当坩埚比较大时，得到比较稳定的沉积速率是不是更容易一些啊？