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标题: 关于ITO [打印本页]

作者: flowwater 时间: 2004-4-23 18:17
标题: 关于ITO
用于透明电极制作的ITO材料，有几个问题想请教有经验的大侠
1。ITO材料本身是一种半导体？
2。它的机械特性如何？脆性材料还是塑性材料？
3。先淀积金属然后氧化的方法可否得到导电性良好的ITO材料，也就是说铟和锡形成氧化物的时候是否会形成致密膜层而阻挡进一步氧化？
4。ITO电极的金属引线用何种材料？如何制作？

望不吝赐教，gxgx

作者: coatingli 时间: 2004-4-23 18:42

1、ITO是掺杂少量SnO2的In2O3，n型半导体。目前ITO薄膜的电子密度n_e可高达10²¹cm^-3，电子迁移率μ_e在15～450cm²V^-1s^-1范围，电阻率可低到7×10^-5Ω·cm，对可见光的透射率在90%以上，对红外光的反射率也在90%以上。

2、通过常规磁控溅射镀膜，表面各项性能指标优良。

3、制备ITO导电薄膜的方法很多，诸如属于物理气相沉积(PVD)范围的电子束(EB)蒸发、磁控溅射、高密度等离子体增强(HDPE)蒸发与低压直流溅射技术，化学气相沉积(CVD)和原子层外延(ALE)技术以及近年来发展起来的可大面积成膜的溶胶-凝胶(Sol-Gel)技术等。然而，适合于批量生产而又已经形成产业的工艺，只有磁控溅射法和溶胶-凝胶法，特别是低压直流磁控溅射法。

您说的这种方式也可以，好象SHINCRON的RAS设备就是这个原理，先镀金属膜后氧化，然后重复这个步骤，也就是说一次镀的金属膜厚度很薄。这样用氧离子轰击才能充分氧化。

4、ITO电极的金属引线一般用Cr，或者是/Cr/AL/Cr/

作者: flowwater 时间: 2004-4-25 00:35

谢谢不吝赐教！

这种材料的熔点怎么样啊？是否和In：Sn含量之比有关系啊？

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