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标题: 808nm高功率连续列阵半导体激光器 [打印本页]

作者: 江湖人 时间: 2003-7-18 23:19
标题: 808nm高功率连续列阵半导体激光器
张兴德教授等研制，2000年验收。利用MBE外延技术生长半导体激光器材料，具有较好的发射波长均匀性、一致性。CM条列阵半导体激光器的腔面镀膜选择具有较高折射率的膜系材料，最大输出功率20W，寿命≥3000小时。主要用于固体激光泵浦、制导、红外照明和引信等航空和民用领域。

作者: 流浪汉 时间: 2003-7-21 16:24
标题: 808nm高功率连续列阵半导体激光器
应用很广

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