4.2 自对准窄台面结构——其制作过程是首先在InGaAsP有源层和有槽的波导层上形成两个沟道，然后生长InP包层和接触层，并形成台面，最后将两边的四元化合物腐蚀掉。
此器件的寄生InP结电容为1.62pF，电感和串联电阻只有0.4nH和4.2Ω，边模抑制比大于 30dB，输出功率为8mW时的3dB调制带宽是11GHz，在较高输出功率时，调制带宽可达13GHz（图2）。
4.3 MQW激光器——这种激光器是用MOVPE生长技术制造的，结构相对比较复杂，分别限制有源层包括10个量子阱（阱厚4nm，垒厚6nm），阱和垒都是四元化合物 InGaAsP材料组成，其带隙波长分别为1.26μm和1.15μm。有源层两侧的波导层（InGaAsP）厚度为50nm，然后把有源层腐蚀成1μm的台面，再用MOVPE生长p-n-i-n结构作为电流阻挡层，在生长电流阻挡层时用SiO2作为掩蔽膜，去掉SiO 2后进行第三步外延，生长p+-InGaAs接触层，在两边腐蚀形成25μm宽、3μm深的台面[12] （图3）。
此器件在90mA驱动电流下，输出功率为17mW，3dB调制带宽为20GHz。
特点：①阱为压应变，其晶格失配度 Δa/a=0.25%，它具有较低的阈值电流和较高的微分效率；② p-n-i-n结构对电流有很好的限制；③ 需要多次外延生长，工艺复杂。
4.4 有源层掺杂的MQW结构——此器件为平面结构，具有很好的电流限制特性及低的寄生电容和串联电阻。其有源层包括[1] ：25nm n型（Si 1.5×1018）、25nm p型（Zn 1018）的下SCH层，有源层的掺杂浓度也为10 18，多量子阱包括8nm阱和8nm垒层，上边的SCH层厚为 25nm。器件的结构比较复杂，中间的台面宽度为15μm，两层较薄的n-InP是为了减小在生长帽层过程中Zn的扩散，用较厚的SI层可以减小电容，而其接触电极宽为75μm，所以有较低的电阻，又由于它是平面结构，所以稳定性较好（图4）。
4.5 脊波导激光器——用MOCVD在n型InP衬底上生长渐变折射率分别限制层（GRIN SCH）和压应变InGaAsP MQW有源层。阱和垒宽度分别为4nm和12nm，量子阱的压应变量为1％，而GRIN SCH包括四个InGaAsP层，其带隙波长分别为1.1，1.0，51.0 和0.95μm。第一个SCH层厚为10nm，其余的三个为30nm。用选择刻蚀技术生长3μm宽的脊形波导台面，并用聚酰亚胺膜进行掩埋，腔长为300μm [13]。
6个量子阱的总厚度为16nm，其3dB调制带宽可达11GHz，量子效率为0.48W/A, 在150mA的驱动电流下输出功率为60mW。该器件的最大优点是制作工艺简单（图5）。
以上介绍了一些高速半导体激光器的一些典型结构和工艺。此外，还有一些其他的结构，如PIQ-BH DFB激光器，其总电容可降低到1.5pF，3dB调制带宽为17GHz [14]；压缩台面激光器的3dB带宽达到了24GHz。无论采用什么样的器件结构，主要目的是降低电学寄生现象，从而提高激光器的高速调制特性。
5 结束语 本文介绍了高速调制半导体激光器的发展现状，分析了影响调制带宽的因素，给出了几种改善调制带宽的途径，然后阐述了高速半导体激光器的设计和制造。需强调的是，为了进一步提高调制带宽，减小电学寄生参数和载流子输运的影响，关键是提高微分增益和光子密度。
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