光电工程师社区

标题: [讨论]帮忙分析一下Si被氧化的原因 [打印本页]

作者: vietti 时间: 2004-5-27 18:33
标题: [讨论]帮忙分析一下Si被氧化的原因

镀Si材料，其折射率应为3.5左右，

Si外面镀了层Al2O3保护，大概几十到上百A左右

从镀完后结果看，可能Si被氧化了，折射率大概掉到2.4附近

请各位大大帮忙分析下产生氧化的原因是什么？

Si材料本身被氧化？或镀的Al2O3太薄未起到保护作用？

预熔时除气产生的氧应该不足以把Si氧化吧。

请各位谈谈镀Si需注意的一些要点吧！

作者: isfm 时间: 2004-5-28 01:06
真空度多少？

作者: carlos 时间: 2004-5-28 04:48

是什么镀膜方式

作者: rmchen 时间: 2004-5-28 06:06
你镀Al2O3时要充氧的吧？问题就在这儿了。

作者: likeoe 时间: 2004-5-28 09:55

在大气中，Si大概在400℃以上开始严重氧化。

作者: vietti 时间: 2004-5-28 17:49

并未充氧,温度为180度

真空度倒是不高，只有1~3*10-3Pa，

不清楚这个真空度会氧化吗？

作者: likeoe 时间: 2004-5-28 17:58

当然会氧化了！

作者: vietti 时间: 2004-5-28 22:47

那有啥办法解决吗？

作者: yh15430 时间: 2004-5-29 05:33
标题: 回复：（vietti）那有啥办法解决吗？
若镀岀不久折射率就为2.4，那么是否应当考虑成膜时已是硅的化合物?因为镀上保护膜后氧化不会那么快。不成熟意见仅供参考。

作者: likeoe 时间: 2004-5-29 18:25
提高蒸速试试看。

作者: zz 时间: 2004-5-30 06:24

看来没多少人镀过SI。

1*10-3PA会氧化吗？？

不镀保护膜看看，并提高真空

作者: vietti 时间: 2004-5-31 16:58

设备所限，真空度上不去呀

从光控监控时看正在成膜时应该还没氧化

作者: coatingli 时间: 2004-5-31 17:53

根据以前的经验，与楼主的工艺环境类似，觉得Si不是很容易氧化，我当时做的折射率推算在3.2~3.3之间。不清楚的地方很多，不知道你怎么推算出Si的折射率降到了2.4，能否将具体膜系及镀后测得的数据列出来大家分析。

作者: zz 时间: 2004-6-1 05:37

楼上说的没错,SI的吸收较大,计算错的话会得出错误结果.按你的工艺3.0应该没问题

作者: vietti 时间: 2004-6-4 16:52

又镀了层Si测了一下，Si并没氧化，大概为3.5，看来正如楼上二位所说，是我计算错误。

我刚刚才做这方面工作，不太了解。采用的是Al2O3和Si的1/4波堆。只是简单地用特征矩阵算了一下，没考虑入射角度，SP分量和吸收。

是因为没考虑吸收而计算错误吗？该怎么算呢？

请指点

作者: zz 时间: 2004-6-4 23:27

3.5那可接近理论值了,个人认为不大可能,因其吸收较大.不过难能可贵,你竟然使用笔算,佩服.

作者: yh15430 时间: 2004-6-5 00:05
标题: 回复：（zz）3.5那可接近理论值了,个人认为不大可能,因...
硅在波长小于1100nm吸收较大，当波长远大于1100nm时吸收就较小。

作者: zhoucheng 时间: 2004-6-5 02:04
不会氧化,镀膜工艺不成熟,计算方法不当

作者: zz 时间: 2004-6-7 03:52

不会氧化,那为啥镀不出理论曲线呢?

可否请教楼上有啥好的工艺?先谢!

作者: vietti 时间: 2004-6-7 16:52

好像Si的消光系数和其他介质材料比并不高，吸收大小与消光系数有何关系？

吸收较大是大到什么程度？对反射率影响有多大？

作者: vietti 时间: 2004-6-7 17:11

因条件所限，无法知道所镀膜的实际厚度多少，所以才根据反射谱来反推。

第一层Al2O3光学厚度为1/4λ（经过反复实验后可以控制）,第二层Si光学厚度未知

镀完后反射谱为开口向下的抛物线，顶点恰好在λ处，是否可证明Si的光学厚度是1/4λ的奇数倍？

作者: zz 时间: 2004-6-8 00:22

SI的K值较一般介质高了不止一个数量级

有可能,那你镀了多少厚度?

欢迎光临光电工程师社区 (http://bbs.oecr.com/)