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标题: ITO的成膜性能 [打印本页]

作者: qhbd 时间: 2004-6-2 22:36
标题: ITO的成膜性能
采用电子束蒸发和射频溅射的ITO在性能上有什么不同？

作者: cjyzq 时间: 2004-6-3 04:04

我也想知道！

作者: likeoe 时间: 2004-6-3 17:31

我看到过深圳一家公司用溅射法做的ITO，象没镀一样（说明可见光区的透过率高），但电阻率又很低，用电子枪蒸的没看到过这么好的。大家讨论一下其中的原因。是不是用溅射更能控制缺陷？

作者: coatingli 时间: 2004-6-3 17:41

有国外文献资料上写用电子枪蒸发离子源辅助可以将电阻率做的更低。现在ITO常规是用DC直流磁控溅射透过率在81%~90%范围内，与膜厚成反比，电阻率可以做到1.5~2.0ohm.cm。另一种技术是DC+RF磁控溅射技术，主要是用在液晶显示器的彩色滤光片上镀ITO导电膜，由于彩色滤光片的是有机材料，所以要求成膜温度较低，这种技术可以实现在温度220度（常规ITO镀膜在350度左右）以下电阻率小于1.5ohm.cm，也就是在相同电阻要求下膜可以做的更薄，这样透过率也就相应得到提高。

作者: likeoe 时间: 2004-6-3 17:52

以下是引用coatingli在2004-6-3 9:41:14的发言：

老大出马就是不一样！

作者: qhbd 时间: 2004-6-3 18:25
ITO的导电机理应该是空穴导电吧？

作者: coatingli 时间: 2004-6-3 18:28
ITO薄膜实际上是一种高简并的n型半导体，这归因于掺锡和形成氧空位从而使其导电粒子—电子密度大大增加(10²¹cm^-3)和电阻率急剧下降(7×10^-5Ф·cm)的结果。如此高的载流子浓度是由于两种不同的施主—替位式锡原子和氧空位分布于材料中，使ITO薄膜电导率很接近于金属导体

作者: qhbd 时间: 2004-6-3 18:32
谢谢 coatingli

作者: SunyL1986 时间: 2008-1-15 13:30
标题: 回复 #4 coatingli 的帖子
请教

ET也耐不了220度的高温,用电子束怎么才能在低温下制备出方阻比较小的呢?

作者: SunyL1986 时间: 2008-1-15 13:31
标题: 回复 #4 coatingli 的帖子
刚才说的是 PET 上

作者: optonic 时间: 2008-1-17 11:58
电子束蒸发离子源辅助沉积，可以将方阻降低，可否在低温下镀膜？

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