光电工程师社区
标题: 半导体激光器为什么不能直接用于打标? [打印本页]
作者: shenjian 时间: 2004-7-26 17:05
标题: 半导体激光器为什么不能直接用于打标?
一直在想这个问题。
光纤输出的半导体列阵已经可以把功率做的很高了。按说能量应该够打些非金属类的东西了。
峰值功率可能上不来,有没有什么其他的方法呢?
作者: icoolba 时间: 2004-7-26 18:02
金属的吸收波长不同。
作者: 小虾米 时间: 2004-7-26 19:35
半导体波长808nm
yag1.06um
作者: hechao123 时间: 2004-7-26 21:40
如何实现可靠廉价的调制输出,如何实现可靠廉价的光束整形
作者: icoolba 时间: 2004-7-26 22:35
具体一点
作者: 小虾米 时间: 2004-7-26 23:53
可以通过光纤耦合进行光束整形,达到平顶光束的输出!
作者: small 时间: 2004-7-27 06:44
以下是引用小虾米在2004-7-26 11:35:23的发言:
半导体波长808nm
yag1.06um
半导体不是可以做到0.8-1.55么?
作者: corking 时间: 2004-7-27 08:49
取决于峰值功率密度, 材料类别. 半导体激光可直接电调制, 在印刷业用的很不错.
作者: shenjian 时间: 2004-7-27 19:30
事实上,目前可以做到几十瓦的半导体激光器仅限与808nm980nm波长附近。
作者: shenjian 时间: 2004-7-27 19:35
至于说波长不对的各位仁兄能给个典型材料对光波长的吸收谱线图么?
我想1.06(YAG)和10.6(CO2)也并不一定就是用在工件材料的最佳吸收波长上吧?
我想研究一下在各类材料上打标对波长的要求。
作者: shenjian 时间: 2004-7-27 19:41
半导体激光的峰值功率上不去倒是麻烦事情,固体激光器是用在腔体内调Q的方法实现峰值功率的提高,可是半导体激光器却不能用这种方法。
我在想有没有一些能量吸收饱和部件(被动调Q?)在腔外实现吸收激光能量,然后累积能量饱和释放脉冲激光呢?
请各位大侠帮忙想象啊。
作者: shenjian 时间: 2004-7-27 21:13
以下是引用kevinxu001在2004-7-26 17:54:31的发言:
德国Unique-mode公司生产的高亮度半导体激光器可以用来材料的微加工,激光打标,材料焊接。具体资料请打开下面连接:www.unique-mode.de
顶尖国际代理
徐先生:0571-85124617
顶尖这位仁兄,你介绍的这家公司网站我已经看过,他们的光纤输出大功率半导体模块做的不错,但是我没发现他们对这类产品用于打标有什么介绍啊?他们是否有关于用这种产品进行打标的解决方案或者应用实例呢?如果有,请您帮忙发一下。。。。
作者: 霸王丸 时间: 2004-7-27 23:30
以下是引用small在2004-7-26 22:44:16的发言:
半导体不是可以做到0.8-1.55么?
同意! 但是光斑可能不如YAG好吧,不过经过光纤输出是不是会有一拚呢????
作者: hechao123 时间: 2004-7-28 00:02
我想波长在这里不是困难,808或者980打标都没有问题,还是光束质量是个瓶颈
作者: shenjian 时间: 2004-7-28 01:15
如果多模光纤输出的话,理论上经过混模后,应该出射的光是光束能量平均分布的圆光斑,数值孔径一般是在0.12~0.25之间
这样的光束不知道能不能用于打标。。。?
作者: icoolba 时间: 2004-7-28 20:34
你说的是不是锁摸??激光器锁摸不稳定的。当然可以利用饱和吸收体.这个东西加在腔内,可以自启动锁摸.不过价格很贵啊
作者: icoolba 时间: 2004-7-28 20:36
混频???哈哈.那得又需要晶体来实现,不过效率又得下降了,最终输出的功率变的没有多大了
作者: free 时间: 2004-7-28 20:40
光束整形是个问题,再就是通过直接的电源调制能否达到象固体激光器腔内调Q的效果?
作者: tzhhui 时间: 2004-7-28 22:24
若峰值功率高时,光纤耦合端面是否可以承受?
作者: shenjian 时间: 2004-7-29 18:06
锁模主要针对固体激光器而言,而半导体激光器的腔体大概只有几百个微米,在腔体中加入什么(实现调Q或其他功能)现在来看都很难实现啊。
作者: shenjian 时间: 2004-7-29 18:15
“若峰值功率高时,光纤耦合端面是否可以承受?”
好像这个问题还是可以解决的。
作者: shenjian 时间: 2004-7-29 18:19
有没有能加腔外的“饱和吸收体”呢?我说的是:吸收激光能量(而不是增益介质辐射的光能)放出压缩后的短脉冲?
作者: 天下第一胖 时间: 2004-8-2 18:37
主要是光斑和能量耦合的问题,呵呵!
作者: xiaoyanliu2000 时间: 2004-8-4 03:19
呵呵,真的,还行。。
作者: hechao123 时间: 2004-8-6 18:56
以下是引用shenjian在2004-7-29 10:19:07的发言:
有没有能加腔外的“饱和吸收体”呢?我说的是:吸收激光能量(而不是增益介质辐射的光能)放出压缩后的短脉冲?
作者: 心忧天下 时间: 2004-8-15 22:30
半导体激光器发出激光的束散角太大了,能量不能集中,峰值功率上不去
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