光电工程师社区

标题: 电子枪镀膜电流大小与速率大小的配合 [打印本页]

作者: 缘睐汝痴 时间: 2011-9-15 18:24
标题: 电子枪镀膜电流大小与速率大小的配合
各位大哥，请进来帮帮忙解释下：我目前为止用过三种机器，日本昭和，韩国PTK，国产南光，就电子枪的电流大小和对应的速率大小有很强的好奇心。在用昭和和韩国PTK时，电流都加到了240左右，但是TIO2的速率也才1A/S左右，SIO2也才3左右，但是在我用南光机器时电流才100左右，SIO2速率7，H4速率4，而MGF2在电流只有30左右，速率就达到了8。另外，高压都是7KV左右，为什么差别这么大呢，很好奇啊。自己也试着想过一下原因：光斑大小，材料熔点等，但是也不会相差这么大吧。尤其是昭和和韩国PTK，电流那么大了，速率也上去不到，不知为什么，请大家给个方向，谢谢了

作者: cxm05371 时间: 2011-9-15 19:13
不知道你是不是用晶控的，速率在晶控上有设定限制的，和电子枪电流没有直接关系的

作者: 缘睐汝痴 时间: 2011-9-15 22:53

cxm05371 发表于 2011-9-15 19:13
不知道你是不是用晶控的，速率在晶控上有设定限制的，和电子枪电流没有直接关系的

如果我是手动的呢

作者: xiao2011 时间: 2011-9-15 22:59

作者: Jimmy_tang 时间: 2011-9-16 09:52

只用过南光，不知道。是否与离子源有关？

作者: 缘睐汝痴 时间: 2011-9-16 11:13

Jimmy_tang 发表于 2011-9-16 09:52
只用过南光，不知道。是否与离子源有关？

嗯，这倒是个方向，有可能

作者: yibi11 时间: 2011-9-16 12:45
你用的机器不一样，枪就不一样。枪不一样，它可以拉的功率就不一样，自然就会出现你说的问题了，另外，离子源，冲氧都会产生这种问题。。。

作者: Jimmy_tang 时间: 2011-9-16 16:01

嗯，同意楼上说的。我想了想，差6、7倍的速度呢，不能全跑墙壁上去了啊。枪的能力应该还是有不少差别的。

作者: E501559 时间: 2011-9-16 16:52
跟膜层监控有关系的，貌似和电子枪的电流关系不大
1、膜层监控的速率设定
2、晶控或光控的准确度
3、膜料的熔点
4、强磁干扰

以上均属个人见解

作者: wangxudong1227 时间: 2011-9-16 18:32
你有没有研究过坩埚的水冷效果？？？？
这个也是很重要的说

作者: wlinliu 时间: 2011-9-16 19:07
晶控还是光控

作者: 缘睐汝痴 时间: 2011-9-16 19:53

yibi11 发表于 2011-9-16 12:45
你用的机器不一样，枪就不一样。枪不一样，它可以拉的功率就不一样，自然就会出现你说的问题了，另外，离子 ...

我之前用的韩国PTK机器，和韩一差不多的，是个组装机，采用的是半自动，电流是自己加的，TIO2电流加到了248左右，速率也才1A/S，SIO2电流加到了90，速率是3A/S。霍尔离子源只是镀前开几分钟清洁，镀膜过程不开，电子枪也是焦耳的，不知道为什么，机器是1350的。现在是南光800，电流只需100，高折射速率就达到5；低折射电流只需40，速率就达到7，不解？

作者: 缘睐汝痴 时间: 2011-9-16 19:55

wlinliu 发表于 2011-9-16 19:07
晶控还是光控

作者: otxtc 时间: 2011-9-17 01:05
这和晶控还是光控没有关系，它们只是测量工具。
1，前面提过的水冷关系最大。你试过用不同材质的坩埚，就知道水冷影响效果了。水冷差的，同样束流，被带走的热量少，更容易蒸发。注意你的南光机器坩埚冷却水流量是否正常。
2，坩埚到晶控片的距离和角度也是一个因素哦。垂直、越近显示速率越大。这个容易理解的。

作者: 缘睐汝痴 时间: 2011-9-17 09:33

otxtc 发表于 2011-9-17 01:05
这和晶控还是光控没有关系，它们只是测量工具。
1，前面提过的水冷关系最大。你试过用不同材质的坩埚，就知 ...

嗯，谢谢你的解答。还想请教你一个问题，就是你觉得高低折射率的速率控制在多少适宜呢，比如MGF2，我见过了很多速率，而且差别很大，小的是3A/S，大的则达到了10。虽然我知道工艺的灵活性，但是相差也太大了吧。另外我们镀TIO2时速率才1，还是很不解啊

作者: otxtc 时间: 2011-9-17 11:19
本人专攻方向不在成膜，对工艺是一知半解，不该乱说，呵呵

介质膜速率在 10A/S以下都是常见的.
你知道的，理论上只要膜层n,d达到设计要求，不用关心速率。
但实际成膜时，膜层 n、nd、均匀性、光洁度、牢固度等都与速率有关。
成膜工艺是一门复杂的技术，受到包括真空度、温度、速率、厚度等要素的综合限制。
批量生产中还要考虑的因素有产量、均匀性、重复性、成品率、成膜时间等。
镀什么膜(产品)需要什么工艺，这是工艺设计人员的工作。你问他更直接和清楚。

作者: yibi11 时间: 2011-9-20 09:36

缘睐汝痴发表于 2011-9-16 19:53
我之前用的韩国PTK机器，和韩一差不多的，是个组装机，采用的是半自动，电流是自己加的，TIO2电流加到了2 ...

还是应该是枪的问题，不要说你即便是用同一个型号的枪，就是用同一个枪，你换灯丝的时候上的位置有点出入，它能拉的功率也不一样，另外，新灯丝和用了很久的灯丝，也是又差别的。我觉得这个问题没有必要死钻，毕竟任何东西都有它的差异性，我们只要了解我们用的机器的性能就可以了，非要搞清楚它们为什么会有差别，我想这个对我们镀膜人员来说就没多大意义了。

作者: 缘睐汝痴 时间: 2011-9-20 10:37

yibi11 发表于 2011-9-20 09:36
还是应该是枪的问题，不要说你即便是用同一个型号的枪，就是用同一个枪，你换灯丝的时候上的位置有点出入 ...

嗯，谢谢

作者: 宇宙深处 时间: 2011-9-20 11:39
楼主描述的现象有点离谱了,TI3O5 240A 才1A/S ,我觉得发射器要好好检查一下.(如果其它蒸着条件都相对正常的话).

作者: 缘睐汝痴 时间: 2011-9-20 13:28

宇宙深处发表于 2011-9-20 11:39
楼主描述的现象有点离谱了,TI3O5 240A 才1A/S ,我觉得发射器要好好检查一下.(如果其它蒸着条件都相对正常 ...

嗯，就是。这会不会和离子源有关系呢，我们只是镀前开几分钟起清洁作用，用的是霍尔离子源

作者: 宇宙深处 时间: 2011-9-20 14:33

缘睐汝痴发表于 2011-9-20 13:28
嗯，就是。这会不会和离子源有关系呢，我们只是镀前开几分钟起清洁作用，用的是霍尔离子源

我觉得关系不大,离子枪与电子枪是两个独立的系统.

作者: xiazg 时间: 2011-9-23 16:32
嘉兴晶控电子有限公司——晶振片专业生产厂家
原材料到成品的100%制造

嘉兴晶控电子有限公司（JJK）成立于2004年初，公司位于浙江省嘉兴市余新镇工业园区。是一家集研发、生产、销售石英晶振片和石英晶体微天平的科技型企业。
公司于2004年开始生产石英晶振片基片，并于2005年下半年大量供应美国市场，成为国内最大的石英晶振片基片生产商。经历4年技术和经验的沉淀之后，2008年JJK决心自创品牌，从美国引进先进的镀膜设备和检测设备，以一流的技术、一流的团队，凭借一流的基片，精心打造国内晶振片第一品牌。

为满足国内市场各种型号、规格晶控仪对晶振片的差异化需求，JJK精心设计和制造了多种不同规格的晶振片（5/6MHZ金、银、合金3种电极），并全面开拓国内市场。JJK晶振片不仅品种规格齐全，更重要的是，JJK晶振片品质性能的稳定性和可靠性与进口晶振片已无差距，可重复使用次数也达到了进口晶振片的水平。至2010年底，我们的客户达到400多家，产品广泛应用于光学镀膜、半导体（LED）行业，医疗、军事、航天等研究机构，远销美国、新加坡、德国、日本等海外市场，并受到业界的一致认可。现公司还有一些镀膜材料和晶振探头等产品。
联系人：夏经理 15068338773 QQ1046118891

作者: ipshjh2005 时间: 2011-10-11 07:41

作者: shweigi 时间: 2011-10-11 22:08
如果外观和特性都没问题,楼主还是不用纠结了吧

作者: huang12949 时间: 2011-10-12 19:02
支持OTXTC的第二个说法：电子枪距晶控探头距离和角度。这个我是有切身体会的。

作者: 359889861 时间: 2012-1-24 21:59

作者: xiaohuilee 时间: 2012-1-31 18:51

cxm05371 发表于 2011-9-15 19:13
不知道你是不是用晶控的，速率在晶控上有设定限制的，和电子枪电流没有直接关系的

请问水晶控制的时候是不是RATE我们设置的数值就是速率
可是速率应该和电子枪的A有关系的吧
设定的怎么决定其速率呢石英是根据震荡频率的衰减来监控的我感觉速率应该是一个定值吧
对水晶监控还是刚刚接触还没有这个方面的资料还望楼主赐教

欢迎光临光电工程师社区 (http://bbs.oecr.com/)