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标题: “近阈值电压处理器”与“立方体”概念DRAM [打印本页]

作者: update 时间: 2011-9-17 08:31
标题: “近阈值电压处理器”与“立方体”概念DRAM
英特尔在IDF演示了（Near-Threshold Voltage Processor）技术，它采用新型的超低电压电路，通过在接近晶体管阀值电压或启动电压的状态运行，从而大幅降低能耗。这款概念CPU在有必要时可以快速运行，在负载较轻时可把功率降低到10毫瓦以下——功耗很低，一个邮票大小的太阳能电池即足以提供PC所需的电力。

这款实验芯片并非产品，但这项研究的成果可转化到未来各种产品上，这些集成了可扩展的近阀值电压电路，可把相关产品的能耗降低五倍或更多，从而将“始终开机”（always on）功能可应用于更广泛的计算设备。类似这样的技术将进一步推动实现英特尔研究院的目标：在无论是大规模数据处理还是便携式万亿级计算设备上，把各种应用的每单位计算能耗降低100到1000倍。

混合内存立方体是美光公司与英特尔共同开发的概念式DRAM。与目前的DDR3相比，这种新的内存设计方法能够将能效提高7倍。混合内存立方体采用层叠式内存芯片配置，形成紧凑的“立方体”并使用高效的全新内存接口，为传输每比特数据的能耗设立了新的标杆，可支持每秒一万亿比特的数据传输速度。这项研究将有助于大幅改进服务器使之为云计算优化，以及超极本™、电视机、平板电脑和智能手机的性能。

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