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标题: 膜料熔点与电子枪电流关系 [打印本页]

作者: 缘睐汝痴    时间: 2011-10-7 23:04
标题: 膜料熔点与电子枪电流关系
各位大哥,这个问题我很好奇,一直在想,总是没有结果。
就是膜料的熔点跟我们蒸发的电流的关系,比如MGF2的熔点在1100左右,H4的熔点在2100左右,我们预熔和镀膜的电流有相应的关系吗,电子枪的电流大小和电子打在膜料上的温度会瞬间升高到上千度,我就是很好奇这个上升的温度大概是多少度。我只能看到电流加上去后,膜料开始溶解了,但是不知道溶解的合适的温度是多少。只能根据膜料的熔点来粗略来判断电流的大小吗,那提供膜料的熔点用处不是很大啊???
作者: JINFENG215107    时间: 2011-10-8 11:56
以前根据电子枪的电流大小来判断蒸发情况,还真没有确切的从温度上定义
作者: putinzhenkong    时间: 2011-11-25 17:14
苏州普京真空技术有限公司生产销售如下光学镀膜材料:
氟化物:氟化镁(MgF2),BaF2(氟化钡),CaF2(氟化钙),SrF2(氟化锶),SeF3(氟化钪),YF3(Ca)(氟化钇),YbF3(Ca)(氟化镱),LaF3(氟化镧),LiF(氟化锂),NdF3(氟化钕),Na3AlF6(冰晶石),Na5Al3F13(锥冰晶石),AlF3(氟化铝), ZrF4(氟化锆),HfF4(氟化铪),InF3(氟化铟),TmF3(氟化铥),DyF3(氟化镝),HoF3(氟化钬),LuF3(氟化镥),ErF3(氟化铒)PrF3(氟化镨),PbF2(氟化铅),CeF3(氟化铈),GdF3(氟化钆),SmF3(氟化钐),EuF3(氟化铕),氟化铽(TbF3)

氧化物:二氧化硅(SiO2),一氧化硅(SiO),五氧化钽 (Ta2O5), 五氧化二铌(Nb2O5),三氧化二铝(Al2O3),氧化铈(CeO2), 五氧化三钛(Ti3O5), 二氧化钛(TiO2), 一氧化钛(TiO),三氧化二钛(Ti2O3),氧化铪(HfO2),氧化锆(ZrO2),氧化镁(MgO),三氧二化铁(Fe2O3)
硫化物:硫化锌(ZnS), 硒化锌(ZnSe)
混合物:锆钛混合物,锆钽混合物,钛钽混合物,氧化铟锡(ITO),H4替代品。
我公司镇江工厂从事精密光学镀膜材料生产近十年,有近十五台真空烧结炉,2台真空镀膜机做产品的检测,还通过第三方检测(SGS,CTI),质量有保证,价格低廉。给客户最好性价比的产品。目前比较典型的客户有:舜宇光学,嘉光,水晶光电,北方光电,上海光联,普立华等。
好消息:我公司最近新研发的低气Ti3O5(五氧化三钛)颜色呈紫黑色,,放气量低,不喷溅,成膜后光学表面光洁度可做到10/10,质量与日本的CANON OPTRON的OS-50相当,价格上却便宜很多,性价比特别高。适合做高端的红外截止滤光片(IR-CUT)、高反膜等。
联系人:董先生  手机:15950079695   电邮:dongxl@chinaputin.cn
地址:苏州高新区金狮大厦11楼

作者: putinzhenkong    时间: 2011-11-25 17:14
苏州普京真空技术有限公司代理销售韩国、日本超硬防水膜(俗称超加硬防水药),又称金刚膜或抗指纹膜(AS/AF-COATING),并兼有防静电抗防刮/划伤的功能。主要用于相机镜头、精密光学元件、手机表面、PC/PMMA的表面真空镀膜,达到防水防油、防刮/划伤防静电的目的。其主要作用成份是有机氟,用Al2O3做成基底或铁丝棉黑色(铜)坩埚,将有机氟吸附在基底上,在约100度固化后作为真空镀膜材料使用。其优点如下:1)防水防指纹防划伤刮伤兼防油功能。
2)        可见光、红外区透明
3)        可以在玻璃和其它真空镀膜层上显示良好的牢固度。如SiO2、TiO2、TiCN、ZrCN等。
4)        防止金属表面因污染而变色。
5)        防污、易擦净。
6)        低摩擦系数,灰尘易滑落,可防静电。膜层特性:
1)        膜层厚度:80-300A(推荐专用石墨盒,最高可镀到1000A).
2)        接触角(水)﹥110度 摩擦系数﹤0.2镀膜参数:真空度﹤7E-2Pa  基底温度:40-150度, 推荐80度,蒸发温度:200-300,让其在75秒-80秒蒸发完。蒸发方式:阻蒸或电子束
联系人:董先生  手机:15950079695  donxl@chinaputin.cn

作者: xiaohuilee    时间: 2012-1-31 19:34
顶起来 没有人知道吗
如何根据药材确定电流的大小呢
作者: gxfdllg    时间: 2012-3-27 08:39
这要考虑你用的是神马镀膜机啊?   电子枪的电流大小决定有多少电子发射出来还要看电子束加速高压决定的!提供熔点是免于你参数设置走弯路,大概有个范围! 至于多少电流有多少温度就不知道了  要做实验或者看看机台说明书有没有!
作者: yezhi381009880    时间: 2012-3-30 11:27
你这个无法定义的,就说一个sio2不同的机型,不同的电子枪。束流能从40mA-160mA.有太多的因素会影响
作者: wdydede    时间: 2012-5-12 00:36
请教一个问题:一份介绍膜料的资料中讲到电子枪条件:预熔时AMP=5.5,EMI=350mA;蒸发时AMP=0.0,  EMI=240mA,AMP和EMI是什么意思?  电子枪是JEOLG102UHO, 先谢谢了
作者: 缘睐汝痴    时间: 2012-5-12 09:07
wdydede 发表于 2012-5-12 00:36
请教一个问题:一份介绍膜料的资料中讲到电子枪条件:预熔时AMP=5.5,EMI=350mA;蒸发时AMP=0.0,  EMI=240m ...

AMP不知道是什么意思,EMI应该可以看出来是电子束流的大小
作者: wdydede    时间: 2012-5-12 20:28
谢谢缘睐汝痴 的回复!
作者: laoxianccc    时间: 2013-4-27 13:03

作者: 新手求教    时间: 2013-4-28 11:13

作者: maray    时间: 2013-6-3 10:02

作者: lkai1014    时间: 2013-6-3 11:48
学习啊   以前也不知道这个
作者: ipshjh    时间: 2013-7-22 20:58

作者: ipshjh    时间: 2013-7-22 20:58





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