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标题: 基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工 [打印本页]

作者: 测试 时间: 2011-10-8 09:11
标题: 基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工

基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工.pdf (536.14 KB, 下载次数: 12)

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工。通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、光刻胶（photo-resist,PR）等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜。该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀（Deep Re-active Ion Etching,DR IE）、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺。

作者: xj2010cg 时间: 2012-5-3 21:08

作者: zjj123zhang 时间: 2012-7-10 17:22

作者: guochengzheng 时间: 2013-9-1 00:21
谢谢楼主分享

作者: bartuc 时间: 2016-1-31 19:12

谢谢分享，谢谢分享，谢谢分享

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