光电工程师社区
标题:
镀膜发现膜料的折射率似乎有变化
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作者:
Jimmy_tang
时间:
2011-12-8 15:47
标题:
镀膜发现膜料的折射率似乎有变化
最近镀膜,每次镀出来的镀膜曲线总有一些变化,在TFC上反复模拟后发现好像材料的折射率上升了?
有没有可能是充氧量减少或者是离子源输出降低了呢?不过从仪表读数上看,充氧量没有降低啊。
作者:
xiao2011
时间:
2011-12-9 08:43
作者:
Jimmy_tang
时间:
2011-12-9 11:38
真晕啊,连续镀膜的话,每镀一次膜,曲线就向长波长方向移动一点。是充氧问题?还是离子源问题?还是我的光控出问题了?
作者:
bluewhale0576
时间:
2011-12-9 13:52
真空度随防换板变脏会变化的,折射率小了当然向长波移动
作者:
zjtzzw
时间:
2011-12-10 16:21
主要是受镀膜真空影响,这种情况一般都很有规律,总结一下每罩的偏移量,每次换板后回调就好了。
作者:
likeoe
时间:
2011-12-11 14:45
真空室内越脏,吸附的水气就会越多,在镀膜时的放气量就会越多,致密度就会低,波长就会往长波方向移,到最后连形状都会跟着变的。
作者:
Jimmy_tang
时间:
2011-12-13 11:43
谢谢楼上的几位的建议。
我每天早上开镀前会做一次烘烤,然后再开始镀膜,之后似乎每一炉都会使得曲线向长波长方向移动,然后第二天再次镀膜的时候曲线又会回来一些。但总体比以前长了。
因为我每天都在检测室内湿度,上周的空气湿度因为有时下雨,室内在30%到50%之间变化,室外(镀膜机的放气孔在非洁净区域,基本与外界畅通)的湿度要更高一些。
这周看起来不会下雨,我会对tooling值做重新测量和计算,看看是否和镀的次数有关,以及是否和室外湿度有关。
作者:
神州八号
时间:
2011-12-13 14:38
作者:
wazxq
时间:
2011-12-13 16:17
离子能量足够强时候,这些变化就没有了
作者:
Jimmy_tang
时间:
2011-12-13 16:26
是说离子源强度不足对吗?
离子源强度会不会有过大导致不良后果的?如果没有,我就可劲的加了。
作者:
缘睐汝痴
时间:
2011-12-14 11:29
继续关注中,我们也有这样的问题,这个问题恐怕大家都会遇到吧
作者:
心静
时间:
2012-4-10 12:37
作者:
yaoting111
时间:
2012-4-10 20:02
楼上的
能否告知TOOLING值是如何计算的?
谢啦!!
作者:
wdydede
时间:
2012-5-12 00:13
关注中,我们也有这样的问题,
作者:
魅力薄膜
时间:
2012-8-8 01:10
离子源强了,你还能镀的上去膜吗 而且你的离子源中和的好吗。。。不好的话,还是慢慢加 做实验吧。
而且也不一定要改工具因子,差不多达到要求就行了
作者:
lkai1014
时间:
2012-8-14 16:52
多多学习
作者:
wdydede
时间:
2012-8-28 00:48
这种变化到底是低了,还是高了(折射率)?按照大家的说法折射率变低,光学厚度不变的话则几何厚度增加,则长移(光控),如果是晶控的话,会往短波方向移吗?
作者:
royyang
时间:
2013-10-7 09:22
关注中
作者:
huangdengpin
时间:
2013-11-15 04:47
作者:
huangdengpin
时间:
2013-11-15 04:48
作者:
crl0129
时间:
2013-11-30 13:35
不漂移就不正常了!!!恐怕没人敢说他们的设备,从第一炉到最后一炉没有一点变化的吧!!
作者:
leehow534
时间:
2014-5-27 23:59
我也碰到了,我们的图形忽上忽下,忽宽忽窄,烦死了,不知道什么原因呢
作者:
宇宙深处
时间:
2014-5-30 16:23
楼主所描述的现象有很强的规律性,这就说明有一个稳定的变量存在,这是有利于问题分析的。
根据楼主的描述应该是个正常的现象,机台被镀物越厚吸水性越强。一炉比一炉的工作真空就会更差。(建议楼主记录每一层的起镀,停镀真空作对比。看看是不是逸气量递增,如果是并且较严重,楼主就要考虑保养机台了)。一些愚见请见谅!
作者:
carpty
时间:
2014-6-18 16:14
宇宙深处 发表于 2014-5-30 16:23
楼主所描述的现象有很强的规律性,这就说明有一个稳定的变量存在,这是有利于问题分析的。
根据楼主的描述 ...
同意楼上的说法
作者:
pc030319
时间:
2014-6-18 21:23
离子源强度加大的话折射率一般都会增加的,不能乱加
作者:
MYMAILZHUJIN
时间:
2016-6-8 02:08
离子源太强,也是不好的
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