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标题: BBO 电光Q开关 [打印本页]

作者: 晶体加工 时间: 2012-2-22 10:30
标题: BBO 电光Q开关
福州汉光光电有限公司的 BBO电光Q开关因其独特的物理特性和优异的光学品质而广使用于高脉冲功率、高重复频率、窄脉宽激光系统。它具有低的吸收损耗及轻微的压电振铃效应，并有很宽的光谱范围：210nm-2000nm，其消光比和电容都优于KD*P和LN晶体。虽然BBO晶体的电光系数小，半波电压相对高，但它在高平均功率系统中开关的关断性能更好。通过增长长度以及减小电极间距，可以减小半波电压。对于口径2.5mm的普克尔盒，其四分之一波长电压为3.4 kV @ 1064 nm 。

EOQ系列Q开关采用优质的电光级BBO晶体，并镀抗损伤增透膜，使这个系列的Q开关具备了最很高的损伤阈值，在脉宽20ns，波长为1064nm，重复频率 1 Hz的激光下，损伤阈值 >1GW/cm2。

BBO 普克尔盒的应用
高重复频率DPSS中Q 开关的理想选择
用于高重复频率再生放大系统的控制
腔倒空系统
削波

BBO 普克尔盒的优势
小的压电环效应
低吸收
温度稳定性好
高消光比
电容值小,开关速度快
透过范围宽(210nm-2000nm)
结构紧凑

EOQ系列Q开关规格：
指标 EOQ03 EOQ04
有效口径,mm 2.8 3.8
1/4波电压@1064nm,KV 3.4 4.5
透过率,% >98%
消光比 >1000:1
损伤阈值,J/cm2 for 20ns pulses@1064nm 10J
电容,pf <3 <4
外形尺寸,mm Dia25.4X40

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联系方式：
福州汉光光电有限公司
电话：0591-83508210 / 83576661
联系人：林先生杨先生
传真：0591-83448303
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E-mail: sales@u-photonics.com

作者: 晶体加工 时间: 2012-2-22 10:31

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低价供应高品质低吸收LBO晶体

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