Closed Field Magnetron (CFM)技术1991年由英国学者Teer首先提出,其基本原理为(见下图):由极性相反的多组磁铁构成相邻的磁控管,这种构造使磁力线可以从一个磁控管延伸到另外一个磁控管,形成闭合的磁阱。这样可以有效阻止电子逃逸,形成增强等离子体,从而提供溅射效率和离化率。该技术首先应用于超硬涂层的制备,主要目的是在磁控溅射离子镀中增加离子束密度。该技术主要利用非平衡磁控技术,将基片包裹在闭合磁力线所构成的磁场区域内,将磁控溅射的优点(源为大面积源,成膜速率高,有利于薄膜厚度均匀性)和离子镀的过程的优点(能改变膜基界面之间的结合力,提供膜基附着力,膜层组织致密等)结合在一起,形成全新的镀膜技术。