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2012-10-18 16:27 上传
mumu4273 发表于 2012-10-23 07:10 可能和原料中Si含量过高有关
风心 发表于 2012-10-23 13:38 和杂质有关? 难道不是温场梯度大造成的么?
高佑君 发表于 2012-10-24 12:51 把晶节亮出来,就应该知道了
mumu4273 发表于 2012-10-24 12:43 径向温度梯度大可能会导致放肩速度过大,进而出现镶嵌线,但镶嵌线形态有别于你图片中的线条。你们用的是 ...
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2012-10-25 08:03 上传
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JZM 发表于 2012-10-23 21:47 扩肩速度有些快引起的
高佑君 发表于 2012-10-25 11:30 这种线条晶体的EPD与差排线你们进行测试了么?
风心 发表于 2012-10-25 08:24 C面 放肩时在四个方向倒有一定的疤痕,类似单晶硅的四条棱线,镶嵌线是斜的,我们晶体的线是均匀辐射状 ...
andycu 发表于 2012-10-26 09:14 这是双晶,检测下就知道啦。。
mumu4273 发表于 2012-10-25 18:09 看你这晶体的颜色不太好,估计原料的原因可能性较大。
cozilla 发表于 2012-10-26 08:43 100%是热场材料的问题,细节就不多谈了...
风心 发表于 2012-10-29 16:00 如何判断 求知识