Nd:Gdvo4晶体采用870NM的LED进行泵蒲是否可以出1064的LASER??
我准备采用LED870-66-60的管子进行泵蒲这种管子的功率是1600MW的红外线输出。直接照射Nd:Gdvo4晶体。它的带宽是40NM。封装形式:TO-66
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As long as the crystal has good absorption at 870 and the laser emission line is at 1064nm, you can get lasing.
Check the spectrum curve of the crystal.

我没查到相关资料呀!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

Nd :GdVO4 晶体的吸收谱和荧光谱表明,晶体在808. 5 nm 有吸收峰,其发射波长912. 6nm ,1 063. 1 nm和1 341. 3 nm. 晶体中掺Nd 浓度为1. 56 at %Nd :GdVO4 的4F3/ 2荧光寿命为100μs. 用3 W激光二极管(LD) 泵浦1 mm 厚的Nd : GdVO4 晶体,得到了1. 72 W、1 063 nm 和800mW、1 341 nm的输出光.
电阻,详细资料有篇论文已经发你邮箱,请查收:)刚看到可以上传,已经传了:)
[attach]3490[/attach]没听说Nd的吸收峰在870nm

其中:LED810-66-60的参数:Electro-Optical Characteristics Item Symbol Condition Minimum Typical Maximum Unit Total Radiated Power PO IF=600mA 1000 mW Total Radiated Power PO IF=3A 4000 mW Radiant Intensity IE IF=600mA 450 mW/sr Forward Voltage VF IF=600mA 9.0 V Reverse Current VR IR=10uA 50 V Peak Wavelength lP IF=600mA 810 nm Half Width Dl IF=600mA 30 nm Viewing Half Angle Q1/2 IF=600mA ±60 deg. Rise Time tr IF=600mA 100 ns Fall Time tf IF=600mA 100 ns ‡ Heat sink is required thermal resistance 8K/W 1) High reliability 2) Compact (TO-66) package 3) High output power at 810nm
这种管子也许可以吧,但是这种东东在澳大利亚呀!太遥远啦!!!!!!!!

说得对。 LED 是不能作甭浦的, 因为它的发散角太大, 就象
灯泡一样。 另外即使是LD也要确认有吸收才行你怎么用LED泵浦呢?
一般来说这种晶体的发射谱线在1062nm左右,呵呵
不知道楼主是不是哈工大的同行,呵呵

LD 泵浦
我现在就是用这个
[B]以下是引用[I]电阻[/I]在2004-9-12 15:52:48的发言:[/B][BR]Nd:Gdvo4晶体采用870NM的LED进行泵蒲是否可以出1064的LASER??
我准备采用LED870-66-60的管子进行泵蒲这种管子的功率是1600MW的红外线输出。直接照射Nd:Gdvo4晶体。它的带宽是40NM。封装形式:TO-66
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