光电工程师社区

标题: 硅基片表面氧含量太高，请问如何除去啊? [打印本页]

作者: michaelzhj 时间: 2004-9-24 22:16
标题: 硅基片表面氧含量太高，请问如何除去啊?
硅基片表面氧含量太高，请问如何除去啊?还望不吝赐教！

作者: michaelzhj 时间: 2004-9-25 00:02

我用5％的HF酸浸泡10分钟，作出来的试样竟然含有4.3％的F

如果只用丙酮和酒精，里面含的氧将近50％（我不需要任何氧），大家说说，咋会事，又该咋办？

作者: heyanch 时间: 2004-9-28 00:34

做什么?

作者: heyanch 时间: 2004-9-28 00:34
镀膜?

作者: wish 时间: 2004-9-28 18:01
Si易氧化，在大气中很难保证没有氧的。用HF清洗应该是一个比较好的方法。如果可以在真空室中，可以用离子轰击一下

作者: gb936 时间: 2004-9-28 20:48
考虑用等离子清洗

作者: michaelzhj 时间: 2004-10-11 04:02
是镀膜，我是先把Si片清洗一下，然后放入真空室内，抽真空，开始镀膜。但，总是会有F元素，我用的是溅射镀膜，真空室内没有等离子体清洗（轰击）的功能，还有没有别的方法？

作者: zz 时间: 2004-10-13 23:04
SI在空气中易氧化？谁可证明。

作者: fulong927 时间: 2004-10-14 00:56

请问 michaelzhj ，

4。3％的F是如何测出来的？

作者: zz 时间: 2004-10-15 01:35
还用问，就用LAMBDA测的

作者: michaelzhj 时间: 2004-10-15 04:53
用XPS测出来的

作者: nanovac1 时间: 2004-10-18 15:39

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