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标题: LN Q开关 [打印本页]

作者: zbhanson 时间: 2014-8-8 10:24
标题: LN Q开关
光学级铌酸锂（LN）晶体拥有较好的电光性能，非线性系数大，光学均匀性好，机械及化学性能稳定，不潮解等优点。用LN制作横向调制电光Q开关，具有半波电压低，重复频率高，常被应用于Er:YAG、Ho:YAG、Tm:YAG、Nd:YAG等作为工作物质的激光器中，尤其在激光测距领域发挥着重要的作用。
在激光器中安装LN晶体时，由于LN Q开关元件性能对于角度非常敏感，必须采用一定封装结构加以可靠固定，以满足激光器光路调节、抗冲击和引出电极的需要。电光晶体的工作电压一般在几千伏左右。采用传统的安装方法，LN晶体直接与电极连接，在外接电极与晶体之间需要加一定压力以便实现良好的电接触。由于外接电极与晶体间的接触近似为刚性接触，所以安装时如果晶体上产生的夹持应力过大，会在LN晶体内部产生较大的应力双折射，导致电光开关工作性能下降，而且晶体甚至有被压碎的可能。另外，由于电光晶体工作电压在几千伏左右，如果绝缘不好，将产生漏电现象，造成电光开关无法使用，甚至危害其它设备。

成都晗森光电材料有限公司深入分析LN的特性，推出紧凑型、无装配应力LN 电光Q开关。
一、产品特点：
1.采用钛合金和环氧酚醛树脂实现金属电极一体化装，负极为安装基座，使用调节方便快捷；
2.体积紧凑，适于激光器的小型化；
3.直接安装于激光器内，不需要其他安装模具如电极板等配件，彻底消除了安装应力，确保激光器长期工作稳定可靠。
二、性能

晶体尺寸 7×7×28(可根据根据用户需求定做)
光学孔径 7×7mm2
有效通光孔径 6×6mm2
定轴精度 3分
平面度 λ/8@ 633nm
透过畸变 λ/4@ 633nm
平行度    20″
光洁度 2级
镀膜 1064nm增透膜，整体透过率T>99.5%
半波电压 2500V λ/2 @1064nm
损伤阈值 150 MW/cm2  1064nm 10ns 10Hz
插入损耗 <0.5%
消光比    200:1  @1064nm
电容： 60pF

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