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标题: 低温超导太赫兹探测器 [打印本页]

作者: lipiao 时间: 2015-6-19 14:55
标题: 低温超导太赫兹探测器
  低温超导太赫兹探测器

   低温超导太赫兹探测器彻底颠覆传统雪崩光电二极管（APD），将单光子探测准确率和速度大幅提高，传统雪崩光电二极管（APD）作为单光子探测元件已越来越无法满足研究需要。

  InGaAs APD单光子计数器与超导单光子计数器性能对比表如下“

 铟镓砷APD与超导探测器性能对比

性能指标                               铟镓砷APD                                  超导纳米线探测器
光谱响应                               900-1700nm                                     600-1700nm
量子效率                               up to 25%                                     up to 25%
死时间                         ≥1000ns（后脉冲时间决定）       ≤2ns（电路响应决定）
触发频率                               Up to 100MHz                               ≥500MHz
实际计数率                                  ≤1MHz                                        ≥500MHz
暗计数（25%量子效率下）    ≥10000cps                                        ≤10cps
暗计数（15%量子效率下）       ≥6000cps                                        ≤1cps
暗计数（10%量子效率下）       ≥5000cps                                          <<1cps
时间抖动(timing   jitter)       ≥250ps                                                ≤25ps
工作温度                                  300K                                                       2K
工作模式                                    门模式                                           自由模式
后脉冲(after   pulse)    < 5% at   1MHz@10ns gate and 10% QE          无后脉冲
后脉冲（死时间）          和频率的关随触发频率上升而上升                   无关
后脉冲（死时间）    和量子效率（QE）的关系随量子效率增大而增大    无关
后脉冲（死时间）       和门宽的关系随门宽增大而增大                   无关
时间抖动和量子效率的关系          随量子效率增大而增大                            无关
信噪比与门宽关系             随门宽下降而下降                                  无关

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