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标题: 二氧化铈抛光材料应用的研究进展 [打印本页]

作者: 风轻扬 时间: 2015-7-12 19:31
标题: 二氧化铈抛光材料应用的研究进展
二氧化铈抛光材料应用的研究进展
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作　　者：吕逢娇
机构地区：安徽大学物理与材料科学学院
出　　处：《新材料产业》 2014年第2期 56-59页,共4页
Advanced Materials Industry
摘　　要：光电子与信息产业的迅猛发展加速了化学机械抛光技术（CMP）的更新。CMP作为目前最好的实现全局平面化的工艺技术（整体平面化的表面精加工技术），借助超微粒子的切削作用以及材料的化学腐蚀作用可以将硅基材料抛光成光洁平坦表面，已广泛应用在硅基材料、光学元件和电子集成电路等元件的表面平坦化处理。随着抛光精度的逐渐提高，CMP已成为首选抛光技术。为了获得超高精度表面，对抛光材料的调配与生产的要求也不断提高，二氧化铈（CeO2）作为高效的抛光材料，在高精度抛光中得到广泛应用。
关键词：抛光材料二氧化铈应用表面平坦化全局平面化抛光技术电子集成电路超高精度

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