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标题: 求助：pecvd法在硅片上长出来的si3n4是单晶还是多晶呀？ [打印本页]

作者: ditto 时间: 2004-10-23 19:46
标题: 求助：pecvd法在硅片上长出来的si3n4是单晶还是多晶呀？

哭着感谢！！！！！

作者: xawfnh 时间: 2004-11-26 04:19
如果不出现什么意外的话，在Si上生长的Si3N4应该是多晶或非晶的。主要原因是Si3N4与Si的失配较大而造成的

作者: ditto 时间: 2004-11-28 04:15
thanks a lot...................xawfnh

作者: dada365 时间: 2005-4-4 23:08

使用PECVD生长的Si3N4应该是非晶态的。这和失配有关系，但是更要的是温度的问题。PECVD提供的反应能量不足以生成单晶和多晶。

作者: ditto 时间: 2005-4-20 08:15
谢谢哦，帮朋友问的。

作者: adamxiong 时间: 2005-4-30 17:08
那最后生产成形的晶体是多层的吗？是否要经过多次生长？

作者: snnujj 时间: 2005-12-23 18:16

朋友们好，希望能够成立pecvdＱＱ群　我的ＱＱ：４４８７７３７６９　

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