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标题: 极紫外光源光刻技术离我们还有多远？ [打印本页]

作者: 24122650 时间: 2016-7-6 15:52
标题: 极紫外光源光刻技术离我们还有多远？
极紫外(EUV)光源可以为晶圆生产提供几十瓦功率是一个重要的里程碑，但对于大规模生产芯片，其性能还存在严峻的挑战。
　　回顾半导体光刻历史，248nm的KrF激光器光源代替了汞灯，随后又开发了几何尺寸更小的193nm ArF激光器，到2003年，EUV光源开始占据半导体发展路线图，如今十几年过去了，EUV还没有达到实际生产的要求。但是，极紫外光源将在今后很长一段时间掌控半导体光刻的未来。EUV光源远比我们想象的具有技术挑战性，致使半导体光刻技术路线图一直修改拖延.
　　光刻技术及其要求
　　光刻技术在电子学十几年的进展中至关重要，光源曝光涂在芯片表面的光刻胶，曝光部分被删除，根据定义的特征刻蚀表面，然后再其他层重复此过程建立集成电路。特征尺寸取决于光源波长、聚焦光学元件和光刻胶。
　　光刻光源被集成在光刻机或系统中，包括照明图案掩模的光学系统和将反射光照在光刻胶表面的光学元件。如图5所示。系统是非常巨大、复杂、昂贵的，经济学要求光源发射足够多的光曝光达到100晶圆/小时。
EUV光源
　　EUV发射的锡等离子体是由二氧化碳激光器输出脉冲轰击熔融锡滴产生的。Cymer和日本Gigaphoton公司采用的激光器技术，Xtreme技术公司采用激光束直接放电激励。
　　Cymer已经生产了10台3100EUV光源样机，Q开关CO2主振荡器/功率放大器(MOPA)，三级放大，工作重复频率40~50kHz，每一个脉冲轰击单个锡滴，激光器的平均功率是15kW，2012年就实现EUV平均输出11W功率到光刻胶上，每小时曝光7片晶圆。
光学元件及其他主要问题
　　工作在EUV波段会引起光学元件和功率传输的很多问题，如图6所示，锡等离子体是向各个方向散射的，收集镜只能管理朝光刻系统方向散射的光，因此透射性光学元件不能用于EUV光刻系统，所以光刻光源必须使用多层反射膜镜面。目前EUV光学元件已经相当成熟，镜面反射率接近于理论最大值入射光的70%，然而，椭圆形的收集镜的损耗是最大的，同时还必须保持溅射锡的清洁度。
　　损耗包括EUV光源照射掩模以及将掩模图形投影到光刻胶上所需的光学元件，系统如图6所示，使用10面镜子，如果每面镜子反射70%的入射光，只有2.8%的原始功率剩余下来，而且这还没有计算收集镜、掩模的反射损耗、光刻胶没有吸收光的损耗。这些损耗致使传送到晶圆表面的EUV平均功率达不到每小时生产 100片以上晶圆的生产要求。
　　EUV还引发了一些其他技术问题，如其光子能量是193nm处的十倍以上，必须采用新型光刻胶，能量光子释放的电子才能在材料中散开。随着芯片尺寸的缩小，缺陷成为日益严重的问题。
其他光刻技术
　　EUV光刻技术的主要竞争者是193nm侵入式光刻系统，对此，大型公司都是保持双向选择，既延续193nm技术又探索EUV新技术。
　　另外一种候补光刻技术是定向自组装，利用193nm光源产生模板引导小型建筑模块自动组装为半导体结构，在过去的几年里，这种技术已经取得了巨大的进步，这是繁殖193nm侵入式光刻技术的一种方式，当然要实现这种技术还需要很长一段时间，但其作为光刻技术的候补技术有很大的吸引力。
　　然而，这种定向自组装技术与EUV光源不存在竞争关系，它只是传统光刻胶的替代品，而不能替代整套设备，它可以使用EUV光源或者193nm光源，从底部向上为自组装结构提供从上到下控制。
　　展望未来
　　目前存在的问题使得光刻技术的未来变得复杂，半导体行业的不同部门又有着不同需求使得问题更加复杂化。其实最渴望EUV技术问世的是代工厂，他们不能控制其制造芯片的设计，因此单次曝光的EUV制造技术比多次曝光的193nm光刻技术就更有吸引力。
　　目前真正的重大突破应该是技术已经从实验室阶段步入生产车间，工程师将使用最新工具开发新工艺，并测试如何生产下一代芯片。

作者: update 时间: 2016-7-7 10:38

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