摘要：对硅片清洗的日常维护从清洗工艺的角度进行了分析，并对具体问题的处理方案进行了阐述，从而使清洗设备工作更加稳定。 伴随着硅片的大直径化，器件结构的超额微小化、高集成化，对硅片的洁净程度、表面的化学态、微粗糙度、氧化膜厚度等表面的要不是求越来越高，而清洗后硅片表面的各种性能在一定程度上又由清洗设备本身决定，因此，对硅片清洗设备的日常维护就尤为重要。但是在传统的观念中只注重对设备硬件的维护，而忽略了对清洗工艺的维护，在实际的生产中这方面更为重要。
1问题的提出
目前，在半导体的生产中广泛使用的为湿式化学清洗方法，该方法是在1970年Werner Kern提出的RCA清洗技术基础上加以改进、演化而来的。在该清洗方法中有大量的化学试剂被使用，具体使用 的化学试剂及其主要作用见表1。
表1常用的化学清洗溶液
名称 组成 作用
SPM H2SO4 :H2O2 :H2O 去除重要极机物沾污。但当沾污非常严重时，会使有机物碳化而难以去除。
DHF HF:（H2O2）:H2O 腐蚀表面氧化层，去除金属沾污。
APM(SC1) NH4OH:H2O2:H2O 能去除粒子、部分有机物及部分金属。此溶液会增加硅片表面的粗糙度。
HPM(SC2) HCL：（H2O2）：H2O 主要用于去除金属沾污
另外，在半导体材料及器件生产厂家，槽式清洗设备被广泛使用，由于该清洗设备清洗工较多，任何一个环节的疏忽，都会导致最终清洗后硅片表面质量不合格，且主要表现为硅片表面颗粒超标和硅片表面金属沾污超标。
2 硅片表面的颗粒的监控
由于硅片表面颗粒数是硅片表面质量的重要参数，去除颗粒也是硅片清洗最主要的目的，所以需对清洗设备对颗粒的去除能力进行监控，具体方法如为： （1） 在进行日常的生产时，道德需准备少量洁净的硅片（如10片），每天在进行政党的硅片清洗前，对该10个硅片进行清洗，且在清洗前后对该硅片进行表面颗粒的检测，然后对测试结果进行分析。如果发现清洗后硅片表面的颗粒数较清洗前减少或无明显变化，则表面清洗设备工作正常，可以进行正常的硅片清洗；如果发现清洗后硅片表面颗粒数较清洗前明显增加，则表明清洗机工作异常，需进行相应的维护。针对此工作也可以根据生产的具体情况对其即进行SPC控制， （2） 如发现上述情况，测需进行如下处理（对于容积约为50L的工艺槽）：
1） 将各槽中原液排干，用DI水将槽子冲洗一次，然后将槽中水排尽； 2） 加入少许（1gallon）DI水，然后加入1gallonH2O2，再加入少许DI水，然后加工入 1gallonNH4OH，再加DI水至槽满。如果是工艺槽，则让混合液循环2h，否则静置2h； 3） 将槽中液排尽，用DI水再次冲洗槽子一次，将槽液排尽； 4） 重新对清洗设备进行测试。3 硅片表面金属沾污的监控
硅片表面的金属沾污是硅片表面质量的另一个重要参数，故也需对清洗设备的清洗能力进行相应的监控，具体方法如为：
（1） 在进行日常的生产时，首先也需准备少量的洁净的硅片（如3片），每天在进行正常的硅片清洗前，对该3个硅片进行清洗，且在清洗前后对该硅片进行表面金属沾污的检测。然后对测试结果进行分析。如果发现清洗后硅片表面的金属含量较清洗前减少或无明显变化，则表明清洗设备工作正常，可以进行正常的硅 片清洗；如果发现清洗后硅片表面金属含量较清洗前明显增加，则表明清洗机工作异常，需进行相应的维护。(对清洗机进行维护的方法如前所述。)4 结束语
由于对清洗设备的工艺维护在实际的生产中起着举足轻重的作用，故需特别注意。如果发现问题需及时进行解决，直至检测合格为止。
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