878.6 nm半导体激光器
1. 量子效率高，无需TEC
图1.是Nd:YVO4的能级图，其中A）是传统的808 nm能级跃迁图，B）是878.6 nm能级跃迁图，C)是激光发射对应的能级跃迁图。从图中可以看出，原子可吸收878.6 nm的光从基态跃迁到激发态4F3/2，直接从激发态产生激光。因此具有高的量子效率并能有效减少散热。恩耐公司的这款878.6 nm的半导体激光器在使用中无需TEC温控，仅通过环境风冷即可。国外文献报道的这款激光器的泵浦效率可达70%以上，而一般工业应用中可达50%。
图2 A)传统808nm能级跃迁图 B）878.6nm能级跃迁图 C）受激辐射能级跃迁
2. 波长锁定，光谱宽度（FWHM）小于0.6 nm
Nd:YVO4晶体有两个主要的吸收峰，808 nm附近的吸收峰带宽较宽，而878.6 nm附近的吸收带宽较窄。恩耐公司提供的878.6 nm的半导体激光器带光纤光栅，输出光谱宽FWHM小于0.6 nm，FW@1/e^2小于1 nm ，中心波长公差为+/- 0.5 nm，且锁定波长在温度变化+/- 5度、电流调节输出功率从0到满功率，波长的变化值小于0.1 nm，保证较高的泵浦效率。
图3 Nd:YVO4晶体的吸收曲线
3.电光效率>50%，光纤耦合效率>95%
恩耐公司具有世界领先的芯片生长技术、封装工艺和光纤耦合技术。878.6 nm的激光器电光效率可达50%以上，400μm光纤耦合输出效率可达95%以上，输出功率可达200 W。下图是恩耐公司典型的一款878.6 nm/100 W的半导体激光模块的测试曲线。
图4 878.6nm/100W的半导体激光模块的测试曲线
