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标题: [求助]有关磁控靶源磁场设计与电源问题 [打印本页]

作者: xbimr 时间: 2005-5-13 01:17
标题: [求助]有关磁控靶源磁场设计与电源问题
最近做镀膜实验，一个磁控靶源磁铁失效了，需要重新作了一个磁铁，但出现一些问题，需要请教！
（1）起弧电压偏高（靶源非平衡度在1.5左右，磁铁场强在4000Gs左右，工作压强为0.4Pa时，起弧电压为360-380V）；是不是继续降低非平衡度有利于解决这个问题？或者采用其他什么办法？？
（2）起弧后电流偏小（在同一功率下，电压显得过高，而电流过小，因为要想在一定功率不变的情况下，能在较低电压下，而较高的电流状况镀薄膜，本实验是采用的恒流源）；请问这种情况，是和靶源磁场本身相关（譬如因为起弧电压偏高的原因一样）还是和电源的比如匹配的问题？？？
谢谢解答！

作者: coatingli 时间: 2005-5-13 05:24
1、我想知道你现在用的是DC、MF、RF哪种磁控溅射方式的？
2、你在更换磁铁前有没有用高斯计先测量原来的磁场强度，或者有手册一类可查？
3、更换磁铁有没有考虑高温溅射对磁铁磁场强度的影响？
一般起弧电压偏高，跟靶材成分、表面状况，磁场强度等都有关系。

作者: xbimr 时间: 2005-5-13 07:26

谢谢回复！
1、我是用的DC电源
2、恩，因为以前的失效了，所以才更换，所以也不知道以前正常时多少了
3、温度应该没有问题，直接水冷的，而且磁场大小没有改变
4、靶材使用的是Zn靶，应该这个没有什么难溅射的问题

作者: coatingli 时间: 2005-5-13 08:13
磁场强度4000Gs，你是怎么测量的呢？如果是离5CM距离用高斯计测的话，我认为可能是磁场强度过强的缘故，由于磁场太强，溅射时二次电子束缚太强，电子螺旋型跑道直径太小，气体离化率太低导致起弧电压过高，溅射率很低。

作者: coatingli 时间: 2005-5-13 08:16
磁铁所用的材料是钕铁硼的吗？

作者: xbimr 时间: 2005-5-13 22:40
磁场强度4000Gs，是贴着磁铁表面测量的最大值，磁铁是钕铁硼。我认为是磁场强，电子束缚更强，更有利于降低起弧电压，但是过强的缺点在于可能是刻蚀跑道过窄、利用率低；我估计可能是我的磁场还不足够平衡，导致磁场发散，反而没有束缚足够的电子，所以导致起弧电压过高，也可能存在其他的问题，我现在还不能确定，所以上来咨询请教。

作者: coatingli 时间: 2005-5-14 01:00
1、磁场强度不平衡我希望你能用高斯计来测量看看。
2、我怀疑你所用的磁铁磁性是不是随距离变化衰减的太快，因为靶材与磁铁有一段距离，最好能实测一下靶表面磁场强度。

作者: oc77 时间: 2005-5-14 03:41

[B]以下是引用[I]coatingli[/I]在2005-5-13 17:00:36的发言：[/B][BR]1、磁场强度不平衡我希望你能用高斯计来测量看看。
2、我怀疑你所用的磁铁磁性是不是随距离变化衰减的太快，因为靶材与磁铁有一段距离，最好能实测一下靶表面磁场强度。

请问靶表面磁场强度是多少最为理想呢？谢谢！

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