光电工程师社区
标题:
关于三次外延
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作者:
wanglan
时间:
2005-5-20 18:53
标题:
关于三次外延
先在一次外延片上刻出做掩蔽用的二氧化硅,长二次外延时,有二氧化硅的地方长出外延,没有二氧化硅的地方会不会长上外延。如果长上外延,如何再将二氧化硅去除,继续生长三次外延
作者:
youfishno
时间:
2005-5-21 23:27
你的问题可能有误
作者:
feipeiwang
时间:
2005-5-23 16:10
这很好办嘛,不过有些事情好像不能在论坛上说.王兰,你认为呢
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