光电工程师社区

标题: 收摊 [打印本页]

作者: wlsly 时间: 2005-10-11 00:23
标题: 收摊
不摆了

[此贴子已经被作者于2007-5-15 16:23:03编辑过]

作者: jackonlee 时间: 2005-10-11 05:54

什么单位呀？？

什么待遇，要求？？

加工什么晶体？

能否说的详细一点

作者: wlsly 时间: 2005-10-11 18:26
我们是做晶体的，现在还是研发阶段，前景看好。希望能找到在有加工经验，还有能改善工艺能力的人。待遇可以面谈，看能力，暂时不会很高，但不会底.

[此贴子已经被作者于2005-10-14 12:37:55编辑过]

作者: wlsly 时间: 2005-10-13 20:21

作者: increation 时间: 2005-10-13 23:00
这个主要是什么专业的毕业啊？材料工程专业？还是工艺啊

作者: crystalspack 时间: 2005-10-14 05:41

各位，打扰了！请你花几分钟时间浏览一下我司网站，也许对你有一些帮助。

http://www.cryspack.com.cn

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我们专业生产各类包装盒，为光学及晶体行业的发展出一份力，祝各位事业发达！

作者: wlsly 时间: 2005-10-14 20:37

专业不限

作者: csc 时间: 2005-10-16 16:57

可能是打蓝宝石主意的公司，现在大家都对这种晶体感兴趣，就是加工不好搞定。

作者: crystalspack 时间: 2005-10-17 05:18

您好，福州康派克光电科技有限公司专业生产各类晶体包装盒，欢迎选购,请浏览我司网站：http://www.cryspack.com.cn

作者: wlsly 时间: 2005-10-17 20:22
我们不是蓝宝石，比蓝宝石还要难加工。

作者: happen 时间: 2005-10-18 01:06

呵呵．．．做什么材料啊！

这么难，说出来让大伙见识见识

作者: wlsly 时间: 2005-10-19 20:16
9.2-9.4的硬度

作者: wlsly 时间: 2005-10-24 22:07

有兴趣跟我邮件联系

作者: yljfeng 时间: 2005-10-25 18:59

以下是引用wlsly在2005-10-19 12:16:00的发言：
9.2-9.4的硬度

不知道楼主加工的是什么材料的晶体？

还有楼主所说的善于改进工艺，主要指的是哪方面的工艺？

作者: wlsly 时间: 2005-10-25 20:14
因为国内还没有对这种晶体的成熟的加工工艺,我们也是工艺的摸索阶段,所以想招一个可以推进工艺的人.具体什么晶体,领导不让说,不知其因.是最近很火的晶体一种.

作者: oeoeoe 时间: 2005-10-27 02:40

晶体加工

一怕软
二怕烂[溶解]

硬反到好加工
研磨切削加离子

oeoeoe@56.com

作者: wlsly 时间: 2005-10-27 21:34
硬有硬的难度

作者: ciom1221 时间: 2005-10-29 06:48
我想应该是SiC吧,听说很有前途.

作者: ciom1221 时间: 2005-10-29 06:51
应该是SIC吧,可惜我不会加工.这个很有前途.

作者: wlsly 时间: 2005-10-31 21:29
有晶体的加工经验就可以，象有蓝宝石加工经验就非常好。

作者: oeoeoe 时间: 2005-11-3 02:15
硬材加工.切割最难.楼主用那类机器.

作者: wlsly 时间: 2005-11-3 22:41

准备用沙浆线切割机，虽然很贵但还是要买。

作者: wlsly 时间: 2005-11-7 16:50

作者: lczhy00001 时间: 2005-11-7 18:17

线切割机.切割.目前有2种晶体很火 1\蓝宝石 2\SIC(碳化硅)

作者: oeoeoe 时间: 2005-11-8 03:30
沙浆线切割.流行趋势.有没有机器商提供的面形精度值.切薄片时至关重要.

作者: wlsly 时间: 2005-11-9 18:04

有道理

作者: bhs 时间: 2005-11-9 23:27
给你发邮件了为什么没有回应？

作者: wlsly 时间: 2005-11-10 17:49

是吗我应该是每个人都回了呀!麻烦你再给我发一次好吗?

作者: q_sj 时间: 2005-11-12 00:21
是SiC、6HSiC

作者: wlsly 时间: 2005-11-16 21:03
有没有人有兴趣？

作者: fqming 时间: 2005-12-26 23:53

是不是晶片的加工？我在设计开发SMD3225的，有很大的一部分已经成功了，开发和改善的能力我都有，看看我值多少钱一个月？

2520也在加工了，不过我们这里都工序加工不了。

作者: wlsly 时间: 2005-12-27 19:59
就这么点信息，怎么好开价？

作者: fqming 时间: 2005-12-27 23:09

能力有，思想有，开发3225的16MHZ到32MHZ的能力也有。大概有多少？工艺改善的能力也有。关于晶体谐振器的品质和技术都有，就是对机器不是很熟悉，能有多少？

贵公司现在主要生产什么产品？

作者: wlsly 时间: 2006-5-12 20:16

重新招，前一阵投资合作出了一些问题，现在解决。

作者: cscaosheng 时间: 2006-5-15 19:32
楼上的说的是碳化硅晶体吧!有了解!现在是个火的项目!

作者: cscaosheng 时间: 2006-5-15 19:48

楼上说的是碳化硅晶体吧!有了解!

作者: cscaosheng 时间: 2006-5-15 20:36

楼上说的是碳化硅晶体吧!是个好项目!有了解!

作者: cscaosheng 时间: 2006-5-15 20:41

以下是引用wlsly在2005-10-25 12:14:00的发言：
因为国内还没有对这种晶体的成熟的加工工艺,我们也是工艺的摸索阶段,所以想招一个可以推进工艺的人.具体什么晶体,领导不让说,不知其因.是最近很火的晶体一种.

作者: wlsly 时间: 2006-5-15 22:03

是的

作者: wlsly 时间: 2006-5-17 21:07

晶体生长也招。

作者: wlsly 时间: 2006-5-22 19:56

等待中

作者: youfishno 时间: 2006-5-23 02:29
如果贵公司有实力，肯花钱，建议到中国科学院半导体研究所看看，那人才有的是

作者: wlsly 时间: 2006-5-23 20:34

以下是引用youfishno在2006-5-22 18:29:00的发言：
如果贵公司有实力，肯花钱，建议到中国科学院半导体研究所看看，那人才有的是

是这样，我们跟半导体所有比较好的关系。谢谢！您能推荐吗？

作者: kaka 时间: 2006-5-25 06:04

北京哪家公司？？？

偶是搞晶体的，偶的

QQ：15841967

比较想加入

作者: 蛛蛛111 时间: 2006-5-25 19:11
sic的生长工艺跟一般的晶体生长工艺不同，你招来有什么用处阿？？

作者: wlsly 时间: 2006-5-25 22:25

以下是引用kaka在2006-5-24 22:04:00的发言：

北京哪家公司？？？

偶是搞晶体的，偶的

QQ：15841967

比较想加入

我没有QQ可以的话，用邮件联系吧。

作者: wlsly 时间: 2006-5-25 22:31

以下是引用蛛蛛111在2006-5-25 11:11:00的发言：
sic的生长工艺跟一般的晶体生长工艺不同，你招来有什么用处阿？？

晶体生长虽然工艺不同还是有相通的地方，做过生长的学起新工艺还是会快的多，我有感触。

作者: 蛛蛛111 时间: 2006-6-2 00:12
能开出怎么样的待遇？？

作者: wlsly 时间: 2006-6-5 22:10

一楼有啊

作者: wlsly 时间: 2006-6-7 21:45
45楼说的还是有些道理，晶体生长可以考虑应届毕业生。

作者: impuyzb 时间: 2006-6-8 21:33
既然是新工艺和新晶体，还处于研发阶段，那应该对工作经验不是很看重的，有相关经验的人肯定很少了。那就要看重招聘对象的科研能力了，那楼主如何选择呢？

作者: wlsly 时间: 2006-6-9 20:30

以下是引用impuyzb在2006-6-8 13:33:00的发言：
既然是新工艺和新晶体，还处于研发阶段，那应该对工作经验不是很看重的，有相关经验的人肯定很少了。那就要看重招聘对象的科研能力了，那楼主如何选择呢？

工艺不同但很多东西还是相通的。我认为SIC晶体加工的经验还是很重要的，其加工与蓝宝石加工还是很相近的。至于生长对于经验的要求要低一些，但绝对不是有无经验一样，晶体生长其实是一个综合性的技术，不知您同意否？我们的步骤大致是首先看简历、通电话（北京以外）、面试，在这些过程中进行考察。至于能力的着重点难说，只能说综合考虑吧。

作者: youfishno 时间: 2006-6-12 00:29

以下是引用wlsly在2006-5-23 12:34:00的发言：

以下是引用youfishno在2006-5-22 18:29:00的发言：
如果贵公司有实力，肯花钱，建议到中国科学院半导体研究所看看，那人才有的是

是这样，我们跟半导体所有比较好的关系。谢谢！您能推荐吗？

请问，是要做材料？还是器件？

作者: wlsly 时间: 2006-6-12 20:25

作材料，SIC晶体生长与加工

作者: youfishno 时间: 2006-6-13 06:45

目前全世界只有美国Cree公司独家垄断从SiC单晶生长、晶片加工、外延片、芯片至SiC器件完整之量产技术，并已开发成功4英寸SiC单晶产品，2002年实现营收超过2亿美圆，占全球SiC市场90％以上。

近日，中科院物理所陈小龙研究员领导的科研小组在SiC晶体生长方面取得了重大进展。他们在自行研制的高温生长炉上，解决了物理气相传输法中生长SiC晶体的一些关键物理化学问题，成功地生长出了直径为2英寸的SiC晶体，其X-射线衍射摇摆曲线达到2弧分，微管密度已少于100个/平方厘米(10x10平方毫米样品)，这些表征SiC晶体质量的重要参数指标超过了目前Cree公司的部分商品的指标，为SiC单晶的国产化奠定了基础。

从实验室到产业化还需要下苦功夫，愿楼主好运！

作者: wlsly 时间: 2006-6-13 20:05

谢谢鼓励！！

作者: youfishno 时间: 2006-6-19 20:31

晶体生长

单晶生长是用籽晶——升华法在2000℃以上的温度下进行的。一般6H或4H SiC在面上生长，这种晶体沿〈0001〉晶向常有微管道，其数量在不断下降，目前直径2英寸的4H –SiC中微管道密度已低至1.1/cm2，但位错密度仍达103～104/ cm2。通过掺杂可以控制其n.p型电导。从低阻，10-3Ω.cm，到绝缘性（1015Ω.cm ）。直径100mm SiC单晶也已研制成功。高温CVD作为一种新方法用于生长单晶。在（1120）面上生长出了无微管道的晶体，且堆垛层错密度也低得多。利用台阶控制外延技术，在～1500℃温度下，在偏离6H—SiC的（0001）晶向生长出高质量同质外延层，这有力促进了各种SiC器件的研制。外延生长中所用源气为SiH4和C3H8，载气为H2，N2用于n型掺杂，三甲基铝（TMA）或B2H6用于P型掺杂，典型生长温度为1500～1600℃；生长面与一般Si、C面向[1120]晶向偏角3.5°（对6H-SiC）和8°（4H-SiC）；表面形貌和台阶聚集对器件研制至关重要。也使用过向其它晶向偏离的衬底。研究了源气中Si/C比对载流子浓度的影响。使用了各种反应器：水平热壁、垂直冷壁、垂直热壁、多片行星式、高温CVD和行星式热壁外延反应器等。在CVD开始前利用Si碳化可生长大面积异质外延3C- SiC，已在波纹式Si衬底上生长出直径150 mm的3C-SiC外延材料。

作者: wtt8005wtt803 时间: 2006-6-23 18:28
厉害!楼上几位都是高人!不知道长过YVO4的人要不?

作者: wlsly 时间: 2006-6-27 20:12

yvo4的也可以。

作者: cardinal_km 时间: 2006-6-28 00:23
做不做锗单晶？

作者: wlsly 时间: 2006-6-29 00:01

我们不做，有色金属研究所不是做锗吗？

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