基本思路是：利用此薄膜做一个平板电容，2面是金属膜中间是需要测量介电常数的薄膜，通过测量此电容在不同I和V下的C值做图来分析I-V C-V性质。有公式C=Q/U 和C= ε * S / d 得 ε =Q*d / S*U 其中 ε 为介电常数
Q为电荷量 U为两金属膜间电压 S为电容有效面积 d为薄膜厚度。利用专门仪器可直接测量此平板电容的C随U 、温度、真空度的变化曲线了。