光电工程师社区

标题: Semiconductor Substrate LiAlO2 [打印本页]

作者: kaka 时间: 2006-8-11 23:31
标题: Semiconductor Substrate LiAlO2

结构
四方
a=5.17Å
c=6.26Å
熔点
(℃)
1780
密度
(g/cm3)
2.62
对GaN晶格
失配率
1.4%at100ori.
热膨胀系数
(×10^-6/K)
[001]:17.68
[100]:10.55
生长方法
及最大尺寸
提拉法
φ2inch
标准尺寸
2inch×0.35
or 0.45
1 or 2 sides epi polished

需要的与我联系

欢迎光临光电工程师社区 (http://bbs.oecr.com/)